2SK3065

2SK3065. C(in): 160pF. Costo): 85pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo. Tipo di transistor: MOSFET. Id(imp): 8A. ID (T=100°C): 1.6A. ID (T=25°C): 2A. Idss (massimo): 10uA. Marcatura sulla cassa: KE. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.5W. Rds sulla resistenza attiva: 0.32 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Td(spento): 120ns. Td(acceso): 20 ns. Tecnologia: MOS FET. Alloggiamento: SOT-89 4-Pin ( 3+Tab ). Custodia (secondo scheda tecnica): SOT-89 ( MTP3 ). Voltaggio Vds(max): 60V. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 1.5V. Vgs(esimo) min.: 0.8V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Nota: serigrafia/codice SMD KE. Protezione GS: sì. Quantità in stock aggiornata il 14/01/2025, 10:25.