Transistor

Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 3 MHz. Corrente del collettore: 3A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 30W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220. Tipo di transistor: NPN. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 60V

Costo): 45pF. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 90 MHz. Guadagno hFE massimo: 400. Guadagno hFE minimo: 60. Corrente del collettore: 3A. Ic(impulso): 7A. Marcatura sulla cassa: D882. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 10W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-126. Tipo di transistor: NPN. Temperatura di funzionamento: -...+150°C. Vcbo: 40V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.5V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 30 v. Vebo: 5V. Spec info: transistor complementare (coppia) 2SB772. Alloggiamento: TO-126 (TO-225, SOT-32). Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

RoHS: NINCS. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: M31/J. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 330V/200V. Corrente collettore Ic [A], max.: 7A. Dissipazione massima Ptot [W]: 70W

Transistor Darlington?: sì. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 150 MHz. Funzione: hFE 4000. Corrente del collettore: 2A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 5W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-126. Tipo di transistor: NPN. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 40V. Spec info: TO-126. Alloggiamento: TO-126 (TO-225, SOT-32)

Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 200 MHz. Corrente del collettore: 0.02A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.4W. Tipo di transistor: NPN. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 120V. Funzione: NF

Costo): 50pF. Transistor Darlington?: NINCS. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 150 MHz. Funzione: Amplificatore di uscita AF. Guadagno hFE massimo: 600. Guadagno hFE minimo: 340. Corrente del collettore: 5A. Numero di terminali: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.75W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: Transistor planare epitassiale . Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 40V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.35V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 20V. Vebo: 7V. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

RoHS: NINCS. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: D8/C. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 25V/20V. Corrente collettore Ic [A], max.: 500mA. Dissipazione massima Ptot [W]: 0.6W

RoHS: NINCS. Famiglia di componenti: MOSFET, P-MOS. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-3P. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: J119. Tensione drain-source Uds [V]: -160V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -8A. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.5 Ohms @ -4A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: -5V. Tempo di accensione ton [nsec.]: 20 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 90 ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 1050pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 100W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C

C(in): 800pF. Costo): 270pF. Tipo di canale: P. Protezione drain-source: diodo. Quantità per scatola: 1. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Transistor MOSFET a canale P. Id(imp): 20A. ID (T=25°C): 5A. Idss (massimo): 100uA. Numero di terminali: 3. Rds sulla resistenza attiva: 0.8 Ohms. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: V-MOS (F). Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220FP. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio Vds(max): 200V. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) min.: 2V. Protezione GS: sì

C(in): 1040pF. Costo): 360pF. Tipo di canale: P. Quantità per scatola: 1. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: SWITCHING, POWER MOS FET. Id(imp): 24A. ID (T=25°C): 6A. Idss (massimo): 100uA. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 35W. Rds sulla resistenza attiva: 0.55 Ohms. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 47 ns. Td(acceso): 24 ns. Tecnologia: P-CHANNEL POWER MOS FET. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220FP. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio Vds(max): 250V. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Tensione gate/source (spenta) min.: 4 v. Protezione drain-source: sì. Protezione GS: NINCS

C(in): 800pF. Costo): 250pF. Tipo di canale: P. Protezione drain-source: diodo. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 205 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: "Modalità di potenziamento a bassa sorgente di drenaggio sulla resistenza". Id(imp): 20A. ID (T=25°C): 5A. Idss (massimo): 5A. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 30W. Rds sulla resistenza attiva: 1 Ohm. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 70 ns. Td(acceso): 35 ns. Tecnologia: Silicon P Chanel Mos Fet. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220FP. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio Vds(max): 250V. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Protezione GS: sì

C(in): 450pF. Costo): 120pF. Tipo di canale: P. Protezione drain-source: diodo. Quantità per scatola: 1. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Ultrahigh-Speed Switching, IDP 18App/10us. Id(imp): 18A. ID (T=25°C): 4.5A. Idss (massimo): 100uA. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 25W. Rds sulla resistenza attiva: 0.95 Ohms. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 52 ns. Td(acceso): 30 ns. Tecnologia: transistor MOSFET al silicio. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220FP. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio Vds(max): 250V. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Protezione GS: sì

C(in): 720pF. Costo): 150pF. Tipo di canale: P. Protezione drain-source: diodo. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 50 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: diodo di protezione integrato. Id(imp): 30A. ID (T=25°C): 12A. Idss (massimo): 12A. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 23W. Rds sulla resistenza attiva: 0.13 Ohms. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 35 ns. Td(acceso): 7 ns. Alloggiamento: TO-251 ( I-Pak ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-251 ( I-Pak ). Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio Vds(max): 60V. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Tecnologia: Transistor ad effetto di campo MOS a canale P. Protezione GS: sì

C(in): 120pF. Tipo di canale: P. Quantità per scatola: 1. Tipo di transistor: FET. Funzione: transistor complementare (coppia) 2SK216. ID (T=25°C): 500mA. Idss (massimo): 500mA. Pd (dissipazione di potenza, massima): 30W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. Temperatura di funzionamento: -40...+150°C. Voltaggio Vds(max): 200V. Voltaggio gate/source Vgs: 15V. Protezione drain-source: sì. Protezione GS: sì

Tipo di canale: N. Quantità per scatola: 1. Tipo di transistor: FET. ID (T=25°C): 20mA. Ids: 2.5mA. Idss (massimo): 2.5mA. ID (min): 2.5mA. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.25W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92. Voltaggio Vds(max): 30 v. Funzione: Amplificazione HF

C(in): 1400pF. Costo): 250pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 460 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Transistor MOSFET N. Id(imp): 24A. ID (T=25°C): 6A. Idss (massimo): 300uA. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 100W. Rds sulla resistenza attiva: 0.95 Ohms. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 8.5 ns. Td(acceso): 4 ns. Tecnologia: V-MOS. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio Vds(max): 600V. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) min.: 2V. Protezione GS: NINCS

C(in): 1400pF. Costo): 250pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 460 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Transistor MOSFET N. Id(imp): 24A. ID (T=25°C): 6A. Idss (massimo): 300uA. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 45W. Rds sulla resistenza attiva: 0.95 Ohms. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 85 ns. Td(acceso): 40 ns. Tecnologia: Transistor ad effetto di campo. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220FP. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio Vds(max): 600V. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) min.: 2V. Spec info: Low Leakage Current Low Drain Source ON resistance. Protezione GS: NINCS

Td(spento): 100 ns. Td(acceso): 40 ns. Tecnologia: Silicon N Channel Mos. Alloggiamento: TO-3PN ( 2-16C1B ). Custodia (secondo scheda tecnica): 2-16C1B. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio Vds(max): 1000V. Voltaggio gate/emettitore VGE(th)max.: 3.5V. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) min.: 1.5V. C(in): 1300pF. Costo): 180pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo. Quantità per scatola: 1. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Transistor MOSFET N. Id(imp): 24A. ID (T=25°C): 8A. Idss (massimo): 300uA. Marcatura sulla cassa: K1120. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 150W. Rds sulla resistenza attiva: 1.5 Ohms. Spec info: Applicazione convertitore DC-DC e azionamento motore. Peso: 4.6g. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Protezione GS: NINCS

C(in): 2800pF. Costo): 780pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 500 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Transistor MOSFET N. Id(imp): 80A. ID (T=25°C): 20A. Idss (massimo): 250uA. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 120W. Rds sulla resistenza attiva: 0.27 Ohms. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 200 ns. Td(acceso): 32 ns. Tecnologia: V-MOS. Alloggiamento: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-3P. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio Vds(max): 500V. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Spec info: High speed switching Low drive current. Protezione GS: sì

Tipo di canale: N. Quantità per scatola: 1. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Transistor MOSFET N. ID (T=25°C): 30A. Idss (massimo): 30A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 40W. Rds sulla resistenza attiva: 0.08 Ohms. Voltaggio Vds(max): 60V

C(in): 1400pF. Costo): 250pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 460 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Transistor MOSFET N. Id(imp): 24A. ID (T=25°C): 8A. Idss (massimo): 300uA. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 125W. Rds sulla resistenza attiva: 0.95 Ohms. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 85 ns. Td(acceso): 40 ns. Tecnologia: V-MOS-L. Alloggiamento: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-3P. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio Vds(max): 600V. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) min.: 1.5V. Protezione GS: NINCS

C(in): 1400pF. Costo): 200pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 1000 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Low Driving Power High Speed Switching. Id(imp): 23A. ID (T=25°C): 8A. Idss (massimo): 500uA. ID (min): 10uA. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 100W. Rds sulla resistenza attiva: 1.5 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 300 ns. Td(acceso): 50 ns. Tecnologia: V-MOS. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-3PF. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio Vds(max): 900V. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Vgs(esimo) massimo: 5V. Vgs(esimo) min.: 2.5V. Alloggiamento: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Protezione GS: NINCS

RoHS: NINCS. Famiglia di componenti: MOSFET, N-MOS. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-220. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: K1246. Tensione drain-source Uds [V]: 500V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 5A. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 1.4 Ohms @ 2.5A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 4 v. Tempo di accensione ton [nsec.]: 100 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 180 ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 650pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 50W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C

C(in): 1800pF. Costo): 500pF. Tipo di canale: N. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 1400 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: commutazione ad alta tensione . Id(imp): 10A. ID (T=100°C): 3A. ID (T=25°C): 5A. Idss (massimo): 100uA. Pd (dissipazione di potenza, massima): 240W. Rds sulla resistenza attiva: 4 Ohms. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 220 ns. Td(acceso): 25 ns. Tecnologia: transistor MOSFET. Alloggiamento: TO-3PN 13-16A1A. Temperatura di funzionamento: -...+150°C. Voltaggio Vds(max): 1400V. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Tensione gate/sorgente (spenta) max.: 3.5V. Tensione gate/source (spenta) min.: 1.5V. Protezione drain-source: sì. Diodo al germanio: NINCS

Tipo di canale: N. Quantità per scatola: 1. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Transistor MOSFET N. ID (T=100°C): 15A. ID (T=25°C): 30A. Idss (massimo): 30A. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 75W. Rds sulla resistenza attiva: 0.028 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: V-MOS. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220. Voltaggio Vds(max): 60V. Spec info: compatibile con il livello logico