Qnéuantità | Iva esclusa | IVA incl. |
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1 - 1 | 16.66€ | 20.33€ |
2 - 2 | 15.83€ | 19.31€ |
3 - 4 | 15.00€ | 18.30€ |
5 - 9 | 14.16€ | 17.28€ |
Qnéuantità | U.P | |
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1 - 1 | 16.66€ | 20.33€ |
2 - 2 | 15.83€ | 19.31€ |
3 - 4 | 15.00€ | 18.30€ |
5 - 9 | 14.16€ | 17.28€ |
2SK1271. C(in): 1800pF. Costo): 500pF. Tipo di canale: N. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 1400 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: commutazione ad alta tensione . Id(imp): 10A. ID (T=100°C): 3A. ID (T=25°C): 5A. Idss (massimo): 100uA. Pd (dissipazione di potenza, massima): 240W. Rds sulla resistenza attiva: 4 Ohms. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 220 ns. Td(acceso): 25 ns. Tecnologia: transistor MOSFET. Alloggiamento: TO-3PN 13-16A1A. Temperatura di funzionamento: -...+150°C. Voltaggio Vds(max): 1400V. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Tensione gate/sorgente (spenta) max.: 3.5V. Tensione gate/source (spenta) min.: 1.5V. Protezione drain-source: sì. Diodo al germanio: NINCS. Quantità in stock aggiornata il 15/01/2025, 09:25.
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