2SJ584

2SJ584. C(in): 450pF. Costo): 120pF. Tipo di canale: P. Protezione drain-source: diodo. Quantità per scatola: 1. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Ultrahigh-Speed Switching, IDP 18App/10us. Id(imp): 18A. ID (T=25°C): 4.5A. Idss (massimo): 100uA. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 25W. Rds sulla resistenza attiva: 0.95 Ohms. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 52 ns. Td(acceso): 30 ns. Tecnologia: transistor MOSFET al silicio. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220FP. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio Vds(max): 250V. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Protezione GS: sì. Quantità in stock aggiornata il 15/01/2025, 12:25.