2SK1120

2SK1120. Td(spento): 100 ns. Td(acceso): 40 ns. Tecnologia: Silicon N Channel Mos. Alloggiamento: TO-3PN ( 2-16C1B ). Custodia (secondo scheda tecnica): 2-16C1B. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio Vds(max): 1000V. Voltaggio gate/emettitore VGE(th)max.: 3.5V. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) min.: 1.5V. C(in): 1300pF. Costo): 180pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo. Quantità per scatola: 1. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Transistor MOSFET N. Id(imp): 24A. ID (T=25°C): 8A. Idss (massimo): 300uA. Marcatura sulla cassa: K1120. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 150W. Rds sulla resistenza attiva: 1.5 Ohms. Spec info: Applicazione convertitore DC-DC e azionamento motore. Peso: 4.6g. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Protezione GS: NINCS. Quantità in stock aggiornata il 13/01/2025, 03:25.