Qnéuantità | Iva esclusa | IVA incl. |
---|---|---|
1 - 4 | 2.39€ | 2.92€ |
5 - 9 | 2.27€ | 2.77€ |
10 - 24 | 2.15€ | 2.62€ |
25 - 49 | 2.04€ | 2.49€ |
50 - 99 | 1.99€ | 2.43€ |
100 - 249 | 1.94€ | 2.37€ |
250+ | 1.84€ | 2.24€ |
Qnéuantità | U.P | |
---|---|---|
1 - 4 | 2.39€ | 2.92€ |
5 - 9 | 2.27€ | 2.77€ |
10 - 24 | 2.15€ | 2.62€ |
25 - 49 | 2.04€ | 2.49€ |
50 - 99 | 1.99€ | 2.43€ |
100 - 249 | 1.94€ | 2.37€ |
250+ | 1.84€ | 2.24€ |
2SJ407. C(in): 800pF. Costo): 270pF. Tipo di canale: P. Protezione drain-source: diodo. Quantità per scatola: 1. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Transistor MOSFET a canale P. Id(imp): 20A. ID (T=25°C): 5A. Idss (massimo): 100uA. Numero di terminali: 3. Rds sulla resistenza attiva: 0.8 Ohms. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: V-MOS (F). Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220FP. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio Vds(max): 200V. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) min.: 2V. Protezione GS: sì. Quantità in stock aggiornata il 13/01/2025, 05:25.
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