2SJ512

2SJ512. C(in): 800pF. Costo): 250pF. Tipo di canale: P. Protezione drain-source: diodo. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 205 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: "Modalità di potenziamento a bassa sorgente di drenaggio sulla resistenza". Id(imp): 20A. ID (T=25°C): 5A. Idss (massimo): 5A. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 30W. Rds sulla resistenza attiva: 1 Ohm. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 70 ns. Td(acceso): 35 ns. Tecnologia: Silicon P Chanel Mos Fet. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220FP. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio Vds(max): 250V. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Protezione GS: sì. Quantità in stock aggiornata il 15/01/2025, 12:25.