2SK1217

2SK1217. C(in): 1400pF. Costo): 200pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 1000 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Low Driving Power High Speed Switching. Id(imp): 23A. ID (T=25°C): 8A. Idss (massimo): 500uA. ID (min): 10uA. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 100W. Rds sulla resistenza attiva: 1.5 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 300 ns. Td(acceso): 50 ns. Tecnologia: V-MOS. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-3PF. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio Vds(max): 900V. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Vgs(esimo) massimo: 5V. Vgs(esimo) min.: 2.5V. Alloggiamento: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Protezione GS: NINCS. Quantità in stock aggiornata il 15/01/2025, 12:25.