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Transistor

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Esaurito
2SD367

2SD367

RoHS: NINCS. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-1. Configurazione: montaggio a foro pas...
2SD367
RoHS: NINCS. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-1. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 25V. Corrente collettore Ic [A], max.: 300mA. Dissipazione massima Ptot [W]: 0.15W
2SD367
RoHS: NINCS. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-1. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 25V. Corrente collettore Ic [A], max.: 300mA. Dissipazione massima Ptot [W]: 0.15W
Set da 1
0.87€ IVA incl.
(0.71€ Iva esclusa)
0.87€
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2SD401

2SD401

Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 10 MHz. Guadagno hFE massimo: 240. ...
2SD401
Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 10 MHz. Guadagno hFE massimo: 240. Guadagno hFE minimo: 40. Corrente del collettore: 2A. Ic(impulso): 3A. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 20W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 200V. Tensione di saturazione VCE(sat): 2V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 150V. Vebo: 5V
2SD401
Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 10 MHz. Guadagno hFE massimo: 240. Guadagno hFE minimo: 40. Corrente del collettore: 2A. Ic(impulso): 3A. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 20W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 200V. Tensione di saturazione VCE(sat): 2V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 150V. Vebo: 5V
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1.10€ IVA incl.
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2SD414

2SD414

RoHS: NINCS. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-126. Configurazione: montaggio a foro p...
2SD414
RoHS: NINCS. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-126. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 120V/80V. Corrente collettore Ic [A], max.: 800mA. Dissipazione massima Ptot [W]: 1W
2SD414
RoHS: NINCS. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-126. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 120V/80V. Corrente collettore Ic [A], max.: 800mA. Dissipazione massima Ptot [W]: 1W
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1.50€ IVA incl.
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1.50€
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2SD467C

2SD467C

Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 280 MHz. Funzione: uso generale. Co...
2SD467C
Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 280 MHz. Funzione: uso generale. Corrente del collettore: 0.7A. Nota: hFE 120...240. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.5W. Tipo di transistor: NPN. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 25V
2SD467C
Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 280 MHz. Funzione: uso generale. Corrente del collettore: 0.7A. Nota: hFE 120...240. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.5W. Tipo di transistor: NPN. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 25V
Set da 1
0.27€ IVA incl.
(0.22€ Iva esclusa)
0.27€
Quantità in magazzino : 41
2SD5072

2SD5072

Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: Alta risoluzione . Corrente ...
2SD5072
Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: Alta risoluzione . Corrente del collettore: 5A. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 60W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-3PF. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 800V. Spec info: MONITOR. Alloggiamento: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A)
2SD5072
Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: Alta risoluzione . Corrente del collettore: 5A. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 60W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-3PF. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 800V. Spec info: MONITOR. Alloggiamento: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A)
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2.16€ IVA incl.
(1.77€ Iva esclusa)
2.16€
Esaurito
2SD526

2SD526

RoHS: NINCS. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-220AB. Configurazione: montaggio a foro...
2SD526
RoHS: NINCS. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-220AB. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 80V. Corrente collettore Ic [A], max.: 4A. Dissipazione massima Ptot [W]: 30W
2SD526
RoHS: NINCS. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-220AB. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 80V. Corrente collettore Ic [A], max.: 4A. Dissipazione massima Ptot [W]: 30W
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0.54€ IVA incl.
(0.44€ Iva esclusa)
0.54€
Esaurito
2SD545

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RoHS: NINCS. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: D18/C. Configurazione: montaggio a foro pa...
2SD545
RoHS: NINCS. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: D18/C. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 25V/20V. Corrente collettore Ic [A], max.: 1A. Dissipazione massima Ptot [W]: 0.5W
2SD545
RoHS: NINCS. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: D18/C. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 25V/20V. Corrente collettore Ic [A], max.: 1A. Dissipazione massima Ptot [W]: 0.5W
Set da 1
0.44€ IVA incl.
(0.36€ Iva esclusa)
0.44€
Esaurito
2SD551

2SD551

RoHS: NINCS. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-3. Configurazione: montaggio a foro pas...
2SD551
RoHS: NINCS. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-3. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: 2SD551. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 150V. Corrente collettore Ic [A], max.: 12A. Dissipazione massima Ptot [W]: 100W
2SD551
RoHS: NINCS. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-3. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: 2SD551. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 150V. Corrente collettore Ic [A], max.: 12A. Dissipazione massima Ptot [W]: 100W
Set da 1
10.33€ IVA incl.
(8.47€ Iva esclusa)
10.33€
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2SD600K

2SD600K

Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 130 MHz. Funzione: Amplificatore di...
2SD600K
Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 130 MHz. Funzione: Amplificatore di potenza a bassa frequenza. Guadagno hFE massimo: 320. Guadagno hFE minimo: 20. Corrente del collettore: 1A. Ic(impulso): 2A. Numero di terminali: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 8W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tf(massimo): 100 ns. Tf(min): 100 ns. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-126. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 120V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.15V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 120V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complementare (coppia) 2SB631K. Alloggiamento: TO-126 (TO-225, SOT-32)
2SD600K
Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 130 MHz. Funzione: Amplificatore di potenza a bassa frequenza. Guadagno hFE massimo: 320. Guadagno hFE minimo: 20. Corrente del collettore: 1A. Ic(impulso): 2A. Numero di terminali: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 8W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tf(massimo): 100 ns. Tf(min): 100 ns. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-126. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 120V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.15V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 120V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complementare (coppia) 2SB631K. Alloggiamento: TO-126 (TO-225, SOT-32)
Set da 1
5.17€ IVA incl.
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2SD601

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RoHS: NINCS. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-236. Configurazione: montaggio a foro p...
2SD601
RoHS: NINCS. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-236. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 30V/25V. Corrente collettore Ic [A], max.: 100mA. Dissipazione massima Ptot [W]: 0.2W
2SD601
RoHS: NINCS. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-236. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 30V/25V. Corrente collettore Ic [A], max.: 100mA. Dissipazione massima Ptot [W]: 0.2W
Set da 1
0.34€ IVA incl.
(0.28€ Iva esclusa)
0.34€
Quantità in magazzino : 12
2SD655

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RoHS: NINCS. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-92. Configurazione: montaggio a foro pa...
2SD655
RoHS: NINCS. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-92. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 30V/15V. Corrente collettore Ic [A], max.: 700mA. Dissipazione massima Ptot [W]: 0.5W
2SD655
RoHS: NINCS. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-92. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 30V/15V. Corrente collettore Ic [A], max.: 700mA. Dissipazione massima Ptot [W]: 0.5W
Set da 1
0.32€ IVA incl.
(0.26€ Iva esclusa)
0.32€
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2SD667

2SD667

Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 140 MHz. Funzione: Amplificatore di...
2SD667
Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 140 MHz. Funzione: Amplificatore di potenza a bassa frequenza. Guadagno hFE massimo: 120. Guadagno hFE minimo: 60. Corrente del collettore: 1A. Ic(impulso): 2A. Nota: 9mm. Marcatura sulla cassa: D667. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.9W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: Silicon NPN Epitaxial. Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92MOD ( 2-5J1A ). Tipo di transistor: NPN. Temperatura di funzionamento: -50...+150°C. Vcbo: 120V. Tensione di saturazione VCE(sat): 1V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 80V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complementare (coppia) 2SB647
2SD667
Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 140 MHz. Funzione: Amplificatore di potenza a bassa frequenza. Guadagno hFE massimo: 120. Guadagno hFE minimo: 60. Corrente del collettore: 1A. Ic(impulso): 2A. Nota: 9mm. Marcatura sulla cassa: D667. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.9W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: Silicon NPN Epitaxial. Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92MOD ( 2-5J1A ). Tipo di transistor: NPN. Temperatura di funzionamento: -50...+150°C. Vcbo: 120V. Tensione di saturazione VCE(sat): 1V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 80V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complementare (coppia) 2SB647
Set da 1
1.23€ IVA incl.
(1.01€ Iva esclusa)
1.23€
Quantità in magazzino : 28
2SD712

2SD712

Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 8 MHz. Corrente del collettore: 4A....
2SD712
Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 8 MHz. Corrente del collettore: 4A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 30W. Tipo di transistor: NPN. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 100V. Spec info: transistor complementare (coppia) 2SB682
2SD712
Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 8 MHz. Corrente del collettore: 4A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 30W. Tipo di transistor: NPN. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 100V. Spec info: transistor complementare (coppia) 2SB682
Set da 1
1.16€ IVA incl.
(0.95€ Iva esclusa)
1.16€
Quantità in magazzino : 107
2SD718

2SD718

Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 12 MHz. Funzione: amplificatore di ...
2SD718
Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 12 MHz. Funzione: amplificatore di potenza audio. Guadagno hFE massimo: 160. Guadagno hFE minimo: 55. Corrente del collettore: 8A. Ic(impulso): 10A. Numero di terminali: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 80W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-3P. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 120V. Tensione di saturazione VCE(sat): 2V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 120V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complementare (coppia) 2SB688. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS
2SD718
Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 12 MHz. Funzione: amplificatore di potenza audio. Guadagno hFE massimo: 160. Guadagno hFE minimo: 55. Corrente del collettore: 8A. Ic(impulso): 10A. Numero di terminali: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 80W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-3P. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 120V. Tensione di saturazione VCE(sat): 2V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 120V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complementare (coppia) 2SB688. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS
Set da 1
3.89€ IVA incl.
(3.19€ Iva esclusa)
3.89€
Quantità in magazzino : 11
2SD725

2SD725

Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. Corrente del collettore: 6A. Pd (dissip...
2SD725
Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. Corrente del collettore: 6A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 50W. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 600V
2SD725
Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. Corrente del collettore: 6A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 50W. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 600V
Set da 1
4.39€ IVA incl.
(3.60€ Iva esclusa)
4.39€
Quantità in magazzino : 4
2SD734

2SD734

Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 250 MHz. Funzione: uso generale. Co...
2SD734
Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 250 MHz. Funzione: uso generale. Corrente del collettore: 0.7A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.6W. Alloggiamento: TO-92. Tipo di transistor: NPN. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 25V
2SD734
Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 250 MHz. Funzione: uso generale. Corrente del collettore: 0.7A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.6W. Alloggiamento: TO-92. Tipo di transistor: NPN. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 25V
Set da 1
0.98€ IVA incl.
(0.80€ Iva esclusa)
0.98€
Quantità in magazzino : 2
2SD762

2SD762

RoHS: NINCS. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-220AB. Configurazione: montaggio a foro...
2SD762
RoHS: NINCS. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-220AB. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 60V. Corrente collettore Ic [A], max.: 3A. Dissipazione massima Ptot [W]: 25W
2SD762
RoHS: NINCS. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-220AB. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 60V. Corrente collettore Ic [A], max.: 3A. Dissipazione massima Ptot [W]: 25W
Set da 1
1.44€ IVA incl.
(1.18€ Iva esclusa)
1.44€
Esaurito
2SD767

2SD767

RoHS: NINCS. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-92. Configurazione: montaggio a foro pa...
2SD767
RoHS: NINCS. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-92. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 60V. Corrente collettore Ic [A], max.: 100mA. Dissipazione massima Ptot [W]: 0.25W
2SD767
RoHS: NINCS. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-92. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 60V. Corrente collettore Ic [A], max.: 100mA. Dissipazione massima Ptot [W]: 0.25W
Set da 1
0.49€ IVA incl.
(0.40€ Iva esclusa)
0.49€
Quantità in magazzino : 1
2SD768

2SD768

Transistor Darlington?: sì. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. Corrente d...
2SD768
Transistor Darlington?: sì. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. Corrente del collettore: 6A. Nota: B=1000. Pd (dissipazione di potenza, massima): 40W. Tipo di transistor: NPN. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 120V
2SD768
Transistor Darlington?: sì. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. Corrente del collettore: 6A. Nota: B=1000. Pd (dissipazione di potenza, massima): 40W. Tipo di transistor: NPN. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 120V
Set da 1
3.20€ IVA incl.
(2.62€ Iva esclusa)
3.20€
Quantità in magazzino : 2
2SD824A

2SD824A

Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 10 MHz. Funzione: NF/SL. Corrente d...
2SD824A
Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 10 MHz. Funzione: NF/SL. Corrente del collettore: 6A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 60W. Tipo di transistor: NPN. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 120V
2SD824A
Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 10 MHz. Funzione: NF/SL. Corrente del collettore: 6A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 60W. Tipo di transistor: NPN. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 120V
Set da 1
5.16€ IVA incl.
(4.23€ Iva esclusa)
5.16€
Quantità in magazzino : 3
2SD855

2SD855

Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. Corrente del collettore: 1A. Pd (dissip...
2SD855
Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. Corrente del collettore: 1A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 30W. Tipo di transistor: NPN. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 60V
2SD855
Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. Corrente del collettore: 1A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 30W. Tipo di transistor: NPN. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 60V
Set da 1
1.95€ IVA incl.
(1.60€ Iva esclusa)
1.95€
Esaurito
2SD863

2SD863

Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 150 MHz. Corrente del collettore: 1...
2SD863
Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 150 MHz. Corrente del collettore: 1A. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.9W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92. Tipo di transistor: NPN. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 60V. Spec info: transistor complementare (coppia) 2SB764. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS
2SD863
Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 150 MHz. Corrente del collettore: 1A. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.9W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92. Tipo di transistor: NPN. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 60V. Spec info: transistor complementare (coppia) 2SB764. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS
Set da 1
0.77€ IVA incl.
(0.63€ Iva esclusa)
0.77€
Quantità in magazzino : 3
2SD871

2SD871

RoHS: NINCS. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-3. Configurazione: montaggio a foro pas...
2SD871
RoHS: NINCS. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-3. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: 2SD871. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 1500V/600V. Corrente collettore Ic [A], max.: 6A. Dissipazione massima Ptot [W]: 50W
2SD871
RoHS: NINCS. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-3. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: 2SD871. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 1500V/600V. Corrente collettore Ic [A], max.: 6A. Dissipazione massima Ptot [W]: 50W
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Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 200 MHz. Funzione: Io-sab. Corrente...
2SD879
Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 200 MHz. Funzione: Io-sab. Corrente del collettore: 3A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.75W. Tipo di transistor: NPN. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 30 v
2SD879
Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 200 MHz. Funzione: Io-sab. Corrente del collettore: 3A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.75W. Tipo di transistor: NPN. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 30 v
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Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 3 MHz. Corrente del collettore: 3A....
2SD880
Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 3 MHz. Corrente del collettore: 3A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 30W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220. Tipo di transistor: NPN. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 60V
2SD880
Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 3 MHz. Corrente del collettore: 3A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 30W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220. Tipo di transistor: NPN. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 60V
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