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2SD879

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2SD879. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 200 MHz. Funzione: Io-sab. Corrente del collettore: 3A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.75W. Tipo di transistor: NPN. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 30 v. Quantità in stock aggiornata il 15/01/2025, 10:25.