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2SD863. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 150 MHz. Corrente del collettore: 1A. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.9W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92. Tipo di transistor: NPN. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 60V. Spec info: transistor complementare (coppia) 2SB764. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS. Quantità in stock aggiornata il 15/01/2025, 10:25.

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Costo): 12pF. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 150 MHz. Guadagno hFE massimo: 400. Guadagno hFE minimo: 200. Corrente del collettore: 2A. Ic(impulso): 4A. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 1W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: "Transistor Darlington epitassiale planare in silicio". Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92MOD ( 2-5J1A ). Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 60V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.15V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 50V. Vebo: 6V. Spec info: transistor complementare (coppia) 2SB892. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS
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