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Transistor

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2SD1628E

2SD1628E

Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 120 MHz. Corrente del collettore: 5...
2SD1628E
Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 120 MHz. Corrente del collettore: 5A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.5W. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Alloggiamento: SOT-89. Custodia (secondo scheda tecnica): SANYO--PCP. Tipo di transistor: NPN. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 60V. Funzione: commutazione ad alta corrente, tensione a bassa saturazione . Spec info: serigrafia/codice SMD DK, hFE 120...200
2SD1628E
Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 120 MHz. Corrente del collettore: 5A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.5W. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Alloggiamento: SOT-89. Custodia (secondo scheda tecnica): SANYO--PCP. Tipo di transistor: NPN. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 60V. Funzione: commutazione ad alta corrente, tensione a bassa saturazione . Spec info: serigrafia/codice SMD DK, hFE 120...200
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3.10€ IVA incl.
(2.54€ Iva esclusa)
3.10€
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Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 120 MHz. Guadagno hFE massimo: 320....
2SD1628F
Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 120 MHz. Guadagno hFE massimo: 320. Guadagno hFE minimo: 180. Corrente del collettore: 5A. Id(imp): 8A. Marcatura sulla cassa: DK. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.5W. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Alloggiamento: SOT-89. Custodia (secondo scheda tecnica): SANYO--PCP. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 60V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 0.5V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 20V. Funzione: commutazione ad alta corrente, tensione a bassa saturazione . Spec info: serigrafia/codice SMD DK
2SD1628F
Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 120 MHz. Guadagno hFE massimo: 320. Guadagno hFE minimo: 180. Corrente del collettore: 5A. Id(imp): 8A. Marcatura sulla cassa: DK. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.5W. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Alloggiamento: SOT-89. Custodia (secondo scheda tecnica): SANYO--PCP. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 60V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 0.5V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 20V. Funzione: commutazione ad alta corrente, tensione a bassa saturazione . Spec info: serigrafia/codice SMD DK
Set da 1
2.50€ IVA incl.
(2.05€ Iva esclusa)
2.50€
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2SD1650

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Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. Corrente del collettore: 3.5A. Pd (diss...
2SD1650
Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. Corrente del collettore: 3.5A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 50W. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 800V
2SD1650
Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. Corrente del collettore: 3.5A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 50W. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 800V
Set da 1
3.59€ IVA incl.
(2.94€ Iva esclusa)
3.59€
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Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: TV-HA. Corrente del collettor...
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Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: TV-HA. Corrente del collettore: 5A. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 60W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-3PF. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 800V. Alloggiamento: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A)
2SD1651
Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: TV-HA. Corrente del collettore: 5A. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 60W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-3PF. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 800V. Alloggiamento: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A)
Set da 1
2.35€ IVA incl.
(1.93€ Iva esclusa)
2.35€
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Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: TV-HA. Corrente del collettor...
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Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: TV-HA. Corrente del collettore: 6A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 60W. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 800V
2SD1652
Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: TV-HA. Corrente del collettore: 6A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 60W. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 800V
Set da 1
3.53€ IVA incl.
(2.89€ Iva esclusa)
3.53€
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2SD1664Q

2SD1664Q

Condizionamento: rotolo. Unità di condizionamento: 1000. Quantità per scatola: 1. Materiale semico...
2SD1664Q
Condizionamento: rotolo. Unità di condizionamento: 1000. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 150 MHz. Funzione: transistor bipolare. Guadagno hFE massimo: 270. Guadagno hFE minimo: 120. Corrente del collettore: 1A. Ic(impulso): 2A. Marcatura sulla cassa: DAQ. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.5W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Tecnologia: Tipo planare epitassiale . Alloggiamento: SOT-89 4-Pin ( 3+Tab ). Custodia (secondo scheda tecnica): SOT-89. Tipo di transistor: NPN. Temperatura di funzionamento: +55...+150°C. Vcbo: 40V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.15V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 32V. Vebo: 5V. Spec info: serigrafia/codice SMD DAQ
2SD1664Q
Condizionamento: rotolo. Unità di condizionamento: 1000. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 150 MHz. Funzione: transistor bipolare. Guadagno hFE massimo: 270. Guadagno hFE minimo: 120. Corrente del collettore: 1A. Ic(impulso): 2A. Marcatura sulla cassa: DAQ. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.5W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Tecnologia: Tipo planare epitassiale . Alloggiamento: SOT-89 4-Pin ( 3+Tab ). Custodia (secondo scheda tecnica): SOT-89. Tipo di transistor: NPN. Temperatura di funzionamento: +55...+150°C. Vcbo: 40V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.15V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 32V. Vebo: 5V. Spec info: serigrafia/codice SMD DAQ
Set da 1
0.55€ IVA incl.
(0.45€ Iva esclusa)
0.55€
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2SD1668

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Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 10 MHz. Funzione: circuiti di commu...
2SD1668
Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 10 MHz. Funzione: circuiti di commutazione. Guadagno hFE massimo: 280. Guadagno hFE minimo: 70. Corrente del collettore: 7A. Id(imp): 12A. Nota: transistor complementare (coppia) 2SB1135. Pd (dissipazione di potenza, massima): 30W. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220ML. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 60V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 0.4V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 50V. Vebo: 6V
2SD1668
Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 10 MHz. Funzione: circuiti di commutazione. Guadagno hFE massimo: 280. Guadagno hFE minimo: 70. Corrente del collettore: 7A. Id(imp): 12A. Nota: transistor complementare (coppia) 2SB1135. Pd (dissipazione di potenza, massima): 30W. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220ML. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 60V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 0.4V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 50V. Vebo: 6V
Set da 1
4.00€ IVA incl.
(3.28€ Iva esclusa)
4.00€
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Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 10 MHz. Funzione: circuiti di commu...
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Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 10 MHz. Funzione: circuiti di commutazione. Guadagno hFE massimo: 280. Guadagno hFE minimo: 70. Corrente del collettore: 12A. Id(imp): 15A. Nota: transistor complementare (coppia) 2SB1136. Pd (dissipazione di potenza, massima): 30W. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220ML. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 60V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 0.4V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 50V. Vebo: 6V
2SD1669
Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 10 MHz. Funzione: circuiti di commutazione. Guadagno hFE massimo: 280. Guadagno hFE minimo: 70. Corrente del collettore: 12A. Id(imp): 15A. Nota: transistor complementare (coppia) 2SB1136. Pd (dissipazione di potenza, massima): 30W. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220ML. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 60V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 0.4V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 50V. Vebo: 6V
Set da 1
5.40€ IVA incl.
(4.43€ Iva esclusa)
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Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. Corrente del collettore: 5A. Pd (dissip...
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Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. Corrente del collettore: 5A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 100W. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 700V
2SD1730
Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. Corrente del collettore: 5A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 100W. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 700V
Set da 1
4.70€ IVA incl.
(3.85€ Iva esclusa)
4.70€
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Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 100 MHz. Funzione: NF-E-L. Corrente...
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Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 100 MHz. Funzione: NF-E-L. Corrente del collettore: 2A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 10W. Tipo di transistor: NPN. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 40V. Spec info: D-PAK (ROHM--CPT3)
2SD1758
Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 100 MHz. Funzione: NF-E-L. Corrente del collettore: 2A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 10W. Tipo di transistor: NPN. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 40V. Spec info: D-PAK (ROHM--CPT3)
Set da 1
2.03€ IVA incl.
(1.66€ Iva esclusa)
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Esaurito
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Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 70 MHz. Corrente del collettore: 3A...
2SD1762
Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 70 MHz. Corrente del collettore: 3A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 25W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: TO-220FP. Tipo di transistor: NPN. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 60V. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS
2SD1762
Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 70 MHz. Corrente del collettore: 3A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 25W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: TO-220FP. Tipo di transistor: NPN. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 60V. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS
Set da 1
2.65€ IVA incl.
(2.17€ Iva esclusa)
2.65€
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2SD1763A

2SD1763A

Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 80 MHz. Funzione: NF/E (F). Corrent...
2SD1763A
Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 80 MHz. Funzione: NF/E (F). Corrente del collettore: 1.5A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 20W. Tipo di transistor: NPN. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 160V. Spec info: transistor complementare (coppia) 2SB1186A
2SD1763A
Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 80 MHz. Funzione: NF/E (F). Corrente del collettore: 1.5A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 20W. Tipo di transistor: NPN. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 160V. Spec info: transistor complementare (coppia) 2SB1186A
Set da 1
5.77€ IVA incl.
(4.73€ Iva esclusa)
5.77€
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2SD1765

2SD1765

Transistor Darlington?: sì. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: ...
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Transistor Darlington?: sì. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: transistor a pacchetto isolato. Corrente del collettore: 2A. Nota: >1000. Pd (dissipazione di potenza, massima): 20W. Tipo di transistor: NPN. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 100V. Diodo CE: sì
2SD1765
Transistor Darlington?: sì. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: transistor a pacchetto isolato. Corrente del collettore: 2A. Nota: >1000. Pd (dissipazione di potenza, massima): 20W. Tipo di transistor: NPN. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 100V. Diodo CE: sì
Set da 1
1.87€ IVA incl.
(1.53€ Iva esclusa)
1.87€
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2SD1802

2SD1802

Costo): 25pF. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 150 MHz. Funzione: Co...
2SD1802
Costo): 25pF. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 150 MHz. Funzione: Commutazione ad alta corrente. Guadagno hFE massimo: 560. Guadagno hFE minimo: 35. Corrente del collettore: 3A. Ic(impulso): 6A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 15W. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Alloggiamento: SMD. Custodia (secondo scheda tecnica): D-PAK TO-252. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 60V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 50V. Vebo: 6V. Spec info: transistor complementare (coppia) 2SB1202. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS
2SD1802
Costo): 25pF. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 150 MHz. Funzione: Commutazione ad alta corrente. Guadagno hFE massimo: 560. Guadagno hFE minimo: 35. Corrente del collettore: 3A. Ic(impulso): 6A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 15W. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Alloggiamento: SMD. Custodia (secondo scheda tecnica): D-PAK TO-252. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 60V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 50V. Vebo: 6V. Spec info: transistor complementare (coppia) 2SB1202. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS
Set da 1
0.95€ IVA incl.
(0.78€ Iva esclusa)
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Quantità in magazzino : 3
2SD1804

2SD1804

Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 180 MHz. Guadagno hFE massimo: 400....
2SD1804
Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 180 MHz. Guadagno hFE massimo: 400. Guadagno hFE minimo: 35. Corrente del collettore: 8A. Ic(impulso): 12A. Numero di terminali: 2. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 20W. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Tecnologia: "Transistor al silicio planari epitassiali". Tf(massimo): 20 ns. Tf(min): 20 ns. Alloggiamento: D-PAK ( TO-252 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 60V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.2V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 50V. Vebo: 6V. Funzione: commutazione ad alta corrente, tensione a bassa saturazione . Spec info: transistor complementare (coppia) 2SB1204
2SD1804
Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 180 MHz. Guadagno hFE massimo: 400. Guadagno hFE minimo: 35. Corrente del collettore: 8A. Ic(impulso): 12A. Numero di terminali: 2. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 20W. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Tecnologia: "Transistor al silicio planari epitassiali". Tf(massimo): 20 ns. Tf(min): 20 ns. Alloggiamento: D-PAK ( TO-252 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 60V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.2V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 50V. Vebo: 6V. Funzione: commutazione ad alta corrente, tensione a bassa saturazione . Spec info: transistor complementare (coppia) 2SB1204
Set da 1
3.88€ IVA incl.
(3.18€ Iva esclusa)
3.88€
Quantità in magazzino : 25
2SD1825

2SD1825

Transistor Darlington?: sì. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 20 MHz...
2SD1825
Transistor Darlington?: sì. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 20 MHz. Guadagno hFE massimo: 5000. Guadagno hFE minimo: 2000. Corrente del collettore: 4A. Ic(impulso): 6A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 20W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220ML. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 70V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.9V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 60V. Spec info: "Transistor Darlington epitassiale planare in silicio"
2SD1825
Transistor Darlington?: sì. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 20 MHz. Guadagno hFE massimo: 5000. Guadagno hFE minimo: 2000. Corrente del collettore: 4A. Ic(impulso): 6A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 20W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220ML. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 70V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.9V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 60V. Spec info: "Transistor Darlington epitassiale planare in silicio"
Set da 1
1.04€ IVA incl.
(0.85€ Iva esclusa)
1.04€
Esaurito
2SD1847

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Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. Corrente del collettore: 5A. Pd (dissip...
2SD1847
Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. Corrente del collettore: 5A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 100W. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 700V
2SD1847
Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. Corrente del collettore: 5A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 100W. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 700V
Set da 1
9.70€ IVA incl.
(7.95€ Iva esclusa)
9.70€
Quantità in magazzino : 11
2SD1878

2SD1878

Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: kHz. Funzione: Amplificatore di usc...
2SD1878
Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: kHz. Funzione: Amplificatore di uscita con deflessione orizzontale per TV a colori.. Guadagno hFE massimo: 10. Guadagno hFE minimo: 5. Corrente del collettore: 5A. Ic(impulso): 20A. Numero di terminali: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 60W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tf(massimo): 0.3us. Tf(min): 0.1us. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-3PML. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Tensione di saturazione VCE(sat): 5V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 800V. Vebo: 6V. Alloggiamento: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A)
2SD1878
Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: kHz. Funzione: Amplificatore di uscita con deflessione orizzontale per TV a colori.. Guadagno hFE massimo: 10. Guadagno hFE minimo: 5. Corrente del collettore: 5A. Ic(impulso): 20A. Numero di terminali: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 60W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tf(massimo): 0.3us. Tf(min): 0.1us. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-3PML. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Tensione di saturazione VCE(sat): 5V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 800V. Vebo: 6V. Alloggiamento: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A)
Set da 1
3.90€ IVA incl.
(3.20€ Iva esclusa)
3.90€
Esaurito
2SD1913

2SD1913

Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 100 MHz. Funzione: Amplificatore di...
2SD1913
Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 100 MHz. Funzione: Amplificatore di potenza a bassa frequenza. Corrente del collettore: 3A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 20W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220F. Tipo di transistor: NPN. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 60V. Spec info: transistor complementare (coppia) 2SB1274
2SD1913
Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 100 MHz. Funzione: Amplificatore di potenza a bassa frequenza. Corrente del collettore: 3A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 20W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220F. Tipo di transistor: NPN. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 60V. Spec info: transistor complementare (coppia) 2SB1274
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2SD1933

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Transistor Darlington?: sì. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: ...
2SD1933
Transistor Darlington?: sì. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: transistor a pacchetto isolato. Guadagno hFE minimo: 3000. Corrente del collettore: 4A. Nota: =3000. Pd (dissipazione di potenza, massima): 30W. RoHS: sì. Tipo di transistor: NPN. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 80V. Spec info: transistor complementare (coppia) 2SB1342
2SD1933
Transistor Darlington?: sì. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: transistor a pacchetto isolato. Guadagno hFE minimo: 3000. Corrente del collettore: 4A. Nota: =3000. Pd (dissipazione di potenza, massima): 30W. RoHS: sì. Tipo di transistor: NPN. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 80V. Spec info: transistor complementare (coppia) 2SB1342
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2SD1941

RoHS: NINCS. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: M31/C. Configurazione: montaggio a foro pa...
2SD1941
RoHS: NINCS. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: M31/C. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 1500V/650V. Corrente collettore Ic [A], max.: 6A. Dissipazione massima Ptot [W]: 50W. Marcatura del produttore: silicio. Frequenza di taglio ft [MHz]: 50W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): 1500V. Range di temperatura di funzionamento max (°C): 650V
2SD1941
RoHS: NINCS. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: M31/C. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 1500V/650V. Corrente collettore Ic [A], max.: 6A. Dissipazione massima Ptot [W]: 50W. Marcatura del produttore: silicio. Frequenza di taglio ft [MHz]: 50W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): 1500V. Range di temperatura di funzionamento max (°C): 650V
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Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. Corrente del collettore: 10A. Pd (dissi...
2SD1959
Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. Corrente del collettore: 10A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 50W. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 1400V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 650V. Funzione: S-L TV/HA(F)
2SD1959
Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. Corrente del collettore: 10A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 50W. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 1400V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 650V. Funzione: S-L TV/HA(F)
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Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 200 MHz. Funzione: Io-sat DC/DC. Gu...
2SD1996R
Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 200 MHz. Funzione: Io-sat DC/DC. Guadagno hFE massimo: 350. Guadagno hFE minimo: 200. Corrente del collettore: 0.5A. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.6W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92. Tipo di transistor: NPN. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 25V
2SD1996R
Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 200 MHz. Funzione: Io-sat DC/DC. Guadagno hFE massimo: 350. Guadagno hFE minimo: 200. Corrente del collettore: 0.5A. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.6W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92. Tipo di transistor: NPN. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 25V
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2SD200

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Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: TV-HA. Corrente del collettor...
2SD200
Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: TV-HA. Corrente del collettore: 2.5A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 10W. Tipo di transistor: NPN. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 1500V
2SD200
Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: TV-HA. Corrente del collettore: 2.5A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 10W. Tipo di transistor: NPN. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 1500V
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2SD2012

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Costo): 35pF. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 3 MHz. Guadagno hFE m...
2SD2012
Costo): 35pF. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 3 MHz. Guadagno hFE massimo: 300. Guadagno hFE minimo: 100. Corrente del collettore: 3A. Marcatura sulla cassa: D2012. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 25W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: Silicon NPN Triple Diffused Type. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): 2-10R1A. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 60V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.4V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 1V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 60V. Vebo: 7V. Spec info: transistor complementare (coppia) 2SB1366. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS
2SD2012
Costo): 35pF. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 3 MHz. Guadagno hFE massimo: 300. Guadagno hFE minimo: 100. Corrente del collettore: 3A. Marcatura sulla cassa: D2012. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 25W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: Silicon NPN Triple Diffused Type. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): 2-10R1A. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 60V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.4V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 1V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 60V. Vebo: 7V. Spec info: transistor complementare (coppia) 2SB1366. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS
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