2SD1804

2SD1804. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 180 MHz. Guadagno hFE massimo: 400. Guadagno hFE minimo: 35. Corrente del collettore: 8A. Ic(impulso): 12A. Numero di terminali: 2. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 20W. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Tecnologia: "Transistor al silicio planari epitassiali". Tf(massimo): 20 ns. Tf(min): 20 ns. Alloggiamento: D-PAK ( TO-252 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 60V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.2V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 50V. Vebo: 6V. Funzione: commutazione ad alta corrente, tensione a bassa saturazione . Spec info: transistor complementare (coppia) 2SB1204. Quantità in stock aggiornata il 15/01/2025, 05:25.