Transistor

RoHS: NINCS. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-92. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 50V/25V. Corrente collettore Ic [A], max.: 50mA. Dissipazione massima Ptot [W]: 0.25W

RoHS: NINCS. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-92. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 50V/25V. Corrente collettore Ic [A], max.: 50mA. Dissipazione massima Ptot [W]: 0.25W

RoHS: NINCS. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-92. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 30V/25V. Corrente collettore Ic [A], max.: 20mA. Dissipazione massima Ptot [W]: 0.25W

Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. Corrente del collettore: 0.5A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.625W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92. Tipo di transistor: NPN. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 40V

RoHS: NINCS. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-92. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 40V/35V. Corrente collettore Ic [A], max.: 100mA. Dissipazione massima Ptot [W]: 0.25W

RoHS: NINCS. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: A21/B. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 15V/10V. Corrente collettore Ic [A], max.: 30mA. Dissipazione massima Ptot [W]: 0.12W

RoHS: NINCS. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-3. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 1000V/500V. Corrente collettore Ic [A], max.: 1A. Dissipazione massima Ptot [W]: 22W

Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 220 MHz. Corrente del collettore: 0.2A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.3W. Tipo di transistor: NPN. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 60V

Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 200 MHz. Corrente del collettore: 0.05A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.3W. Tipo di transistor: NPN. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 50V

Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 250 MHz. Funzione: lo-sab . Corrente del collettore: 0.7A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.25W. Tipo di transistor: NPN. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 20V

Costo): 120pF. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 15 MHz. Funzione: Amplificatore di potenza audio, convertitore DC-DC. Guadagno hFE massimo: 200. Guadagno hFE minimo: 60. Corrente del collettore: 8A. Ic(impulso): 16A. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 80W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: TO-3PN ( 2-16C1B ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-3PN. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 160V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 140V. Vebo: 6V. Spec info: transistor complementare (coppia) 2SB817. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 10 MHz. Guadagno hFE massimo: 280. Guadagno hFE minimo: 70. Corrente del collettore: 12A. Ic(impulso): 15A. Marcatura sulla cassa: D1062. Numero di terminali: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 40W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tf(massimo): 1.2us. Tf(min): 0.4us. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 60V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.4V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 50V. Vebo: 6V. Funzione: inverter ad alta velocità, convertitori, low-sat. Spec info: transistor complementare (coppia) 2SB826

Costo): 200pF. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 1 MHz. Corrente del collettore: 10A. Numero di terminali: 2. Pd (dissipazione di potenza, massima): 100W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: TO-3 ( TO-204 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-3. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 130V. Tensione di saturazione VCE(sat): 1.5V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 110V. Vebo: 10V

Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. Guadagno hFE massimo: 230. Guadagno hFE minimo: 60. Corrente del collettore: 4A. RoHS: NINCS. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 70V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 50V

Transistor Darlington?: sì. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 150 MHz. Corrente del collettore: 1A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 1W. Tipo di transistor: NPN. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 30 v. Spec info: sostituire

Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. Corrente del collettore: 0.1A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.4W. Tipo di transistor: NPN. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 30 v. Spec info: sostituire

Costo): 12pF. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 150 MHz. Guadagno hFE massimo: 400. Guadagno hFE minimo: 200. Corrente del collettore: 2A. Ic(impulso): 4A. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 1W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: "Transistor Darlington epitassiale planare in silicio". Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92MOD ( 2-5J1A ). Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 60V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.15V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 50V. Vebo: 6V. Spec info: transistor complementare (coppia) 2SB892. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

RoHS: NINCS. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-3. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: 2SD1279. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 600V. Corrente collettore Ic [A], max.: 10A. Frequenza di taglio ft [MHz]: 3 MHz. Dissipazione massima Ptot [W]: 50W. Famiglia di componenti: transistor NPN ad alta tensione. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -65°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C

RoHS: NINCS. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: M37/J. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 120V. Corrente collettore Ic [A], max.: 7A. Dissipazione massima Ptot [W]: 70W

Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 60 MHz. Corrente del collettore: 8A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 80W. Tipo di transistor: NPN. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 120V

Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 200 MHz. Funzione: 2.32k Ohms. Corrente del collettore: 0.5A. Tipo di transistor: NPN. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 25V

Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 200 MHz. Funzione: Io-sab. Corrente del collettore: 0.5A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.6W. Tipo di transistor: NPN. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 25V

Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 3 MHz. Corrente del collettore: 5A. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 80W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-3P. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 800V

Condizionamento: tubo di plastica. Unità di condizionamento: 30. Transistor Darlington?: NINCS. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 3 MHz. Guadagno hFE minimo: 8:1. Corrente del collettore: 5A. Ic(impulso): 16A. Numero di terminali: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 50W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: Triplo diffuso planare . Tf(massimo): 0.7us. Alloggiamento: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-3P. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Tensione di saturazione VCE(sat): 5V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 800V. Vebo: 7V

Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: TV-HA. Corrente del collettore: 5A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 120W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: TO-3PN ( 2-16C1B ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-3PN. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 800V. Spec info: fr--IC=1A; VCE=10V, 3MHz