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2SD110

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2SD110. Costo): 200pF. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 1 MHz. Corrente del collettore: 10A. Numero di terminali: 2. Pd (dissipazione di potenza, massima): 100W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: TO-3 ( TO-204 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-3. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 130V. Tensione di saturazione VCE(sat): 1.5V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 110V. Vebo: 10V. Quantità in stock aggiornata il 14/01/2025, 23:25.

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