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2SD1398-SAN

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2SD1398-SAN. Condizionamento: tubo di plastica. Unità di condizionamento: 30. Transistor Darlington?: NINCS. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 3 MHz. Guadagno hFE minimo: 8:1. Corrente del collettore: 5A. Ic(impulso): 16A. Numero di terminali: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 50W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: Triplo diffuso planare . Tf(massimo): 0.7us. Alloggiamento: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-3P. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Tensione di saturazione VCE(sat): 5V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 800V. Vebo: 7V. Quantità in stock aggiornata il 14/01/2025, 23:25.

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2SD1878

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Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: kHz. Funzione: Amplificatore di usc...
2SD1878
Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: kHz. Funzione: Amplificatore di uscita con deflessione orizzontale per TV a colori.. Guadagno hFE massimo: 10. Guadagno hFE minimo: 5. Corrente del collettore: 5A. Ic(impulso): 20A. Numero di terminali: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 60W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tf(massimo): 0.3us. Tf(min): 0.1us. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-3PML. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Tensione di saturazione VCE(sat): 5V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 800V. Vebo: 6V. Alloggiamento: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A)
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Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: kHz. Funzione: Amplificatore di uscita con deflessione orizzontale per TV a colori.. Guadagno hFE massimo: 10. Guadagno hFE minimo: 5. Corrente del collettore: 5A. Ic(impulso): 20A. Numero di terminali: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 60W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tf(massimo): 0.3us. Tf(min): 0.1us. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-3PML. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Tensione di saturazione VCE(sat): 5V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 800V. Vebo: 6V. Alloggiamento: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A)
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2SD1398

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Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 3 MHz. Corrente del collettore: 5A....
2SD1398
Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 3 MHz. Corrente del collettore: 5A. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 80W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-3P. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 800V
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Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 3 MHz. Corrente del collettore: 5A. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 80W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-3P. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 800V
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PCM2906DBG4

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Nota: Risoluzione a 16 bit, frequenza di campionamento a 48kHz. Nota: 1x ADC / 1x DAC. Assemblaggio/...
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B1000C35000W

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Corrente diretta (AV): 35A. IFSM: 400A. RM (max): 500uA. RM (min): 10uA. Dimensioni: 28x28mm. RoHS: ...
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