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Transistor NPN, 5A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 800V - 2SD1398

Transistor NPN, 5A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 800V - 2SD1398
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Transistor NPN, 5A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 800V - 2SD1398. Transistor NPN, 5A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 800V. Corrente del collettore: 5A. Alloggiamento: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-3P. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 800V. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 3 MHz. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 80W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Quantità in stock aggiornata il 21/04/2025, 13:25.

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Transistor NPN, 5A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 800V. Corrente del collettore: 5A. Alloggiamento: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-3P. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 800V. Condizionamento: tubo di plastica. Unità di condizionamento: 30. Transistor Darlington?: NINCS. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 3 MHz. Guadagno hFE minimo: 8:1. Ic(impulso): 16A. Numero di terminali: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 50W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: Triplo diffuso planare . Tf(massimo): 0.7us. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Tensione di saturazione VCE(sat): 5V. Vebo: 7V
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Transistor NPN, 5A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 800V. Corrente del collettore: 5A. Alloggiamento: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-3P. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 800V. Condizionamento: tubo di plastica. Unità di condizionamento: 30. Transistor Darlington?: NINCS. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 3 MHz. Guadagno hFE minimo: 8:1. Ic(impulso): 16A. Numero di terminali: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 50W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: Triplo diffuso planare . Tf(massimo): 0.7us. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Tensione di saturazione VCE(sat): 5V. Vebo: 7V
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