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2SD1398

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2SD1398. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 3 MHz. Corrente del collettore: 5A. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 80W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-3P. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 800V. Quantità in stock aggiornata il 14/01/2025, 23:25.

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2SD1398-SAN

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Condizionamento: tubo di plastica. Unità di condizionamento: 30. Transistor Darlington?: NINCS. Qua...
2SD1398-SAN
Condizionamento: tubo di plastica. Unità di condizionamento: 30. Transistor Darlington?: NINCS. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 3 MHz. Guadagno hFE minimo: 8:1. Corrente del collettore: 5A. Ic(impulso): 16A. Numero di terminali: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 50W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: Triplo diffuso planare . Tf(massimo): 0.7us. Alloggiamento: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-3P. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Tensione di saturazione VCE(sat): 5V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 800V. Vebo: 7V
2SD1398-SAN
Condizionamento: tubo di plastica. Unità di condizionamento: 30. Transistor Darlington?: NINCS. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 3 MHz. Guadagno hFE minimo: 8:1. Corrente del collettore: 5A. Ic(impulso): 16A. Numero di terminali: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 50W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: Triplo diffuso planare . Tf(massimo): 0.7us. Alloggiamento: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-3P. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Tensione di saturazione VCE(sat): 5V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 800V. Vebo: 7V
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