Componenti e apparecchiature elettroniche, per aziende e privati
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2SC943

2SC943
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5 - 9 2.46€ 3.00€
10 - 24 2.33€ 2.84€
25 - 49 2.20€ 2.68€
50 - 99 2.15€ 2.62€
100 - 249 2.10€ 2.56€
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2SC943. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 220 MHz. Corrente del collettore: 0.2A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.3W. Tipo di transistor: NPN. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 60V. Quantità in stock aggiornata il 14/01/2025, 23:25.

Prodotti equivalenti :

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Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 100 MHz. Guadagno hFE massimo: 500....
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Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 100 MHz. Guadagno hFE massimo: 500. Guadagno hFE minimo: 240. Corrente del collettore: 0.1A. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 350mW. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: Transistor planare epitassiale . Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92. Tipo di transistor: NPN. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Vcbo: 60V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.25V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 50V. Vebo: 6V
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Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 100 MHz. Guadagno hFE massimo: 500. Guadagno hFE minimo: 240. Corrente del collettore: 0.1A. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 350mW. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: Transistor planare epitassiale . Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92. Tipo di transistor: NPN. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Vcbo: 60V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.25V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 50V. Vebo: 6V
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Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 200 MHz. Guadagno hFE massimo: 232....
2SC815
Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 200 MHz. Guadagno hFE massimo: 232. Guadagno hFE minimo: 50. Corrente del collettore: 0.2A. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.4W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92. Tipo di transistor: NPN. Temperatura di funzionamento: -55...+125°C. Vcbo: 45V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.15V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 60V. Vebo: 5V. Diodo CE: sì
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Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 200 MHz. Guadagno hFE massimo: 232. Guadagno hFE minimo: 50. Corrente del collettore: 0.2A. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.4W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92. Tipo di transistor: NPN. Temperatura di funzionamento: -55...+125°C. Vcbo: 45V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.15V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 60V. Vebo: 5V. Diodo CE: sì
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