Transistor

Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 330 MHz. Funzione: convertitore DC-DC, alimentatore TFT. Guadagno hFE massimo: 560. Guadagno hFE minimo: 200. Corrente del collettore: 8A. Ic(impulso): 11A. Marcatura sulla cassa: C5707T. Numero di terminali: 2. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 15W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Tecnologia: Transistor epitassiale planare al silicio . Tf(massimo): 25 ns. Tf(min): 25 ns. Alloggiamento: D-PAK ( TO-252 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ). Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 80V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.11V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 80V. Vebo: 6V. Spec info: transistor complementare (coppia) 2SA2040FA

Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. Corrente del collettore: 21A. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 700V. Spec info: Icp 10A/64kHz, 8A/100kHz. Nota: Vce(sat) 3Vmax

Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: Ultrahigh-Definition CRT Display Horizontal Def.Ou. Corrente del collettore: 20A. Nota: hFE 4...7 (Vce sat 3V, Vbe sat 1.5V). Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 1600V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 800V. Spec info: "Transistor al silicio planare triplo diffuso"

Transistor Darlington?: NINCS. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. Corrente del collettore: 12A. Ic(impulso): 24A. Marcatura sulla cassa: C5803. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 70W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tf(massimo): 0.3us. Tf(min): 0.1us. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-3PF. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Tensione di saturazione VCE(sat): 3V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 800V. Alloggiamento: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A)

Transistor Darlington?: NINCS. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 2 MHz. Funzione: Per deflessione orizzontale ad alta risoluzione, TV HD. Guadagno hFE massimo: 60. Guadagno hFE minimo: 5. Corrente del collettore: 22A. Ic(impulso): 44A. Numero di terminali: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 200W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: Tipo MESA triplo diffuso . Tf(massimo): 0.1us. Tf(min): 0.1us. Alloggiamento: TO-264 ( TOP-3L ). Custodia (secondo scheda tecnica): 2-21F2A. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 1700V. Tensione di saturazione VCE(sat): 1.5V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 750V. Vebo: 5V

Transistor Darlington?: NINCS. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 2 MHz. Funzione: Per deflessione orizzontale ad alta risoluzione, TV HD. Guadagno hFE massimo: 55. Guadagno hFE minimo: 4.5. Corrente del collettore: 23A. Ic(impulso): 46A. Numero di terminali: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 210W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: Tipo MESA triplo diffuso . Tf(massimo): 0.15us. Tf(min): 0.1us. Alloggiamento: TO-264 ( TOP-3L ). Custodia (secondo scheda tecnica): 2-21F2A. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 1700V. Tensione di saturazione VCE(sat): 3V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 750V. Vebo: 5V

Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: CRT-HA (F). Corrente del collettore: 6A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 30W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220F. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 1500V

Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: kHz. Funzione: Ultrahigh-Definition CRT Display, High-speed.. Guadagno hFE massimo: 15. Guadagno hFE minimo: 4. Corrente del collettore: 20A. Ic(impulso): 40A. Numero di terminali: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 100W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tf(massimo): 0.2us. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-3PMLH. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 1700V. Tensione di saturazione VCE(sat): 3V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 800V. Vebo: 5V. Spec info: Horizontal Deflection Output Applications. Alloggiamento: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A)

Costo): 85pF. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 195 MHz. Guadagno hFE massimo: 560. Guadagno hFE minimo: 200. Corrente del collettore: 15A. Ic(impulso): 20A. Marcatura sulla cassa: C6082. Numero di terminali: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 23W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220F-3SG. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 60V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.2V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 0.4V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 50V. Vebo: 6V. Funzione: Driver relè, driver lampada, driver motore. Spec info: transistor complementare (coppia) 2SA2210. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

RoHS: NINCS. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-92. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 50V/30V. Corrente collettore Ic [A], max.: 200mA. Dissipazione massima Ptot [W]: 0.25W

RoHS: NINCS. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-92. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 30V/25V. Corrente collettore Ic [A], max.: 50mA. Dissipazione massima Ptot [W]: 0.25W

Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 600 MHz. Corrente del collettore: 0.03A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.12W. Tipo di transistor: NPN. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 15V

RoHS: NINCS. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: A21/B. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 40V/30V. Corrente collettore Ic [A], max.: 50mA. Dissipazione massima Ptot [W]: 0.1W

RoHS: NINCS. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-92. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 30V/25V. Corrente collettore Ic [A], max.: 30mA. Dissipazione massima Ptot [W]: 0.2W

RoHS: NINCS. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-92. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 30V/25V. Corrente collettore Ic [A], max.: 50mA. Dissipazione massima Ptot [W]: 0.2W

RoHS: NINCS. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-92. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 30V/25V. Corrente collettore Ic [A], max.: 100mA. Dissipazione massima Ptot [W]: 0.2W

RoHS: NINCS. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-98. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 35V/30V. Corrente collettore Ic [A], max.: 100mA. Dissipazione massima Ptot [W]: 0.3W

RoHS: NINCS. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-98. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 35V/30V. Corrente collettore Ic [A], max.: 100mA. Dissipazione massima Ptot [W]: 0.3W

RoHS: NINCS. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-92. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 25V/12V. Corrente collettore Ic [A], max.: 20mA. Dissipazione massima Ptot [W]: 0.15W

RoHS: NINCS. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-92. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 25V/12V. Corrente collettore Ic [A], max.: 20mA. Dissipazione massima Ptot [W]: 0.1W

RoHS: NINCS. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-39. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 50V/30V. Corrente collettore Ic [A], max.: 500mA. Dissipazione massima Ptot [W]: 0.68W

RoHS: NINCS. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-98. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 40V/30V. Corrente collettore Ic [A], max.: 20mA. Dissipazione massima Ptot [W]: 0.1W

RoHS: NINCS. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-98. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 40V/30V. Corrente collettore Ic [A], max.: 20mA. Dissipazione massima Ptot [W]: 0.1W

Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 200 MHz. Guadagno hFE massimo: 232. Guadagno hFE minimo: 50. Corrente del collettore: 0.2A. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.4W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92. Tipo di transistor: NPN. Temperatura di funzionamento: -55...+125°C. Vcbo: 45V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.15V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 60V. Vebo: 5V. Diodo CE: sì

RoHS: NINCS. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-92. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: 2SC829. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 30V/20V. Corrente collettore Ic [A], max.: 30mA. Dissipazione massima Ptot [W]: 0.25W