Transistor

Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: MONITOR. Corrente del collettore: 6A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 50W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-3P. Tipo di transistor: NPN. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 1500V

Quantità per scatola: 1. Compatibilità: CVM4967A. Materiale semiconduttore: silicio. FT: kHz. Funzione: Display-HA, Hi-res. Guadagno hFE massimo: 25. Corrente del collettore: 6A. Ic(impulso): 16A. Equivalenti: SAMSUNG 891 464744AA. Numero di terminali: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 50W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: Tripla Diffusa . Tf(massimo): 0.4us. Alloggiamento: TO-3PFM ( 13-16A1A ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-3PFM. Tipo di transistor: NPN. Tensione di saturazione VCE(sat): 2V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 1500V. Vebo: 6V. Spec info: MONITOR

Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: Display-HA. Corrente del collettore: 10A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 50W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-3PF. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 800V. Spec info: MONITOR. Alloggiamento: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A)

Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: Alta risoluzione . Corrente del collettore: 7A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 50W. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 600V. Spec info: Monitor VGA

Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: TV-HA. Corrente del collettore: 7A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 60W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-3FP. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 800V. Alloggiamento: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A)

Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: TV-HA. Guadagno hFE massimo: 8:1. Guadagno hFE minimo: 3. Corrente del collettore: 7A. Ic(impulso): 16A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 60W. Tecnologia: "Transistor al silicio planare triplo diffuso". Tf (tipo): 0.1us. Alloggiamento: TO-3PF ( SOT399 / 2-16E3A ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO3PML. Tipo di transistor: NPN. Temperatura di funzionamento: -...+150°C. Vcbo: 1500V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 5V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 800V. Vebo: 7V. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

Costo): 20pF. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 100 MHz. Funzione: NF-L. Guadagno hFE massimo: 320. Guadagno hFE minimo: 100. Corrente del collettore: 1A. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 20W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): 2-10R1A. Tipo di transistor: NPN. Temperatura di funzionamento: -...+150°C. Vcbo: 230V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 1.5V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 230V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complementare (coppia) 2SA1837. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 100 MHz. Funzione: NF-L. Corrente del collettore: 1A. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 20W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220F. Tipo di transistor: NPN. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 230V

Costo): 220pF. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: Alta risoluzione . Corrente del collettore: 10A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 70W. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 800V. Spec info: MONITOR

Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: Alta risoluzione . Corrente del collettore: 8A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 50W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-3PFM. Tipo di transistor: NPN. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 1500V. Spec info: MONITOR. Alloggiamento: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A)

Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 4 MHz. Funzione: Display-HA. Corrente del collettore: 7A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 80W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-3PF. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 800V. Spec info: MONITOR (F). Alloggiamento: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Diodo CE: sì

Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: Display-HA. Corrente del collettore: 7A. Nota: MONITOR. Pd (dissipazione di potenza, massima): 80W. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 800V

Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: Vce(sat) 3V. Corrente del collettore: 12A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 50W. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 600V. Nota: Monitor HA (F). Spec info: VEBO 5V. Diodo CE: sì

Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 120 MHz. Guadagno hFE massimo: 270. Guadagno hFE minimo: 120. Corrente del collettore: 5A. Ic(impulso): 10A. Marcatura sulla cassa: C5103. Numero di terminali: 2. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 10W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Tf(massimo): 0.3 ns. Tf(min): 0.1 ns. Alloggiamento: D-PAK ( TO-252 ). Custodia (secondo scheda tecnica): CPT3 ( DPAK ) ( TO252 ) ( SOT428 ). Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 100V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.15V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 80V. Vebo: 5V. Funzione: Driver del motore, driver LED. Spec info: transistor complementare (coppia) 2SA1952

Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 1.7 MHz. Funzione: MONITOR HA,Hi-res. Guadagno hFE massimo: 30. Guadagno hFE minimo: 10. Corrente del collettore: 10A. Ic(impulso): 20A. Marcatura sulla cassa: C5129. Numero di terminali: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 50W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: Tipo MESA triplo diffuso . Tf(massimo): 0.3us. Tf(min): 0.15us. Custodia (secondo scheda tecnica): 2-16E3A. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Tensione di saturazione VCE(sat): 3V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 600V. Vebo: 5V. Spec info: tempo di caduta 0,15...03us (64kHz). Alloggiamento: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Diodo CE: sì

Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. Corrente del collettore: 10A. Nota: MONITOR. Pd (dissipazione di potenza, massima): 50W. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 600V. Funzione: HA, Hi-res. Diodo CE: sì

Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 1.7 MHz. Guadagno hFE massimo: 30. Guadagno hFE minimo: 10. Corrente del collettore: 20A. Ic(impulso): 40A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 200W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: TO-264 ( TOP-3L ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-264 ( 2-21F2A ). Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 1700V. Tensione di saturazione VCE(sat): 3V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 600V. Spec info: Monitor -HA

Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 2 MHz. Guadagno hFE massimo: 25. Guadagno hFE minimo: 8:1. Corrente del collettore: 8A. Ic(impulso): 16A. Numero di terminali: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 50W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: Tipo MESA triplo diffuso . Tf(massimo): 0.3us. Tf(min): 0.15us. Custodia (secondo scheda tecnica): 2-16E3A. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Tensione di saturazione VCE(sat): 5V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 600V. Vebo: 5V. Funzione: Horizontal Deflection Output, high speed Switch. Alloggiamento: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A)

Transistor Darlington?: NINCS. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 2 MHz. Funzione: funzionamento veloce, per deflessione orizzontale (TV). Guadagno hFE massimo: 25. Guadagno hFE minimo: 8:1. Corrente del collettore: 8A. Ic(impulso): 16A. Marcatura sulla cassa: C5149. Numero di terminali: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 50W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tf(massimo): 0.5us. Tf(min): 0.2us. Custodia (secondo scheda tecnica): 2-16E3A. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Tensione di saturazione VCE(sat): 5V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 600V. Spec info: Tipo MESA triplo diffuso . Alloggiamento: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A)

Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: VCE(sat) 3V max. Corrente del collettore: 10A. Nota: MONITOR, HA,Hi-res, fT--2MHz. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 1700V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 700V. Spec info: TO-3P (Plastic). Diodo CE: sì

Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 200 MHz. Guadagno hFE massimo: 320. Guadagno hFE minimo: 50. Corrente del collettore: 2A. Marcatura sulla cassa: C5171. Numero di terminali: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 20W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: Tipo epitassiale . Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220F. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 180V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.16V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 180V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complementare (coppia) 2SA1930. Funzione: TV, SL. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 30 MHz. Funzione: HI-FI. Corrente del collettore: 8A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 80W. Tipo di transistor: NPN. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 120V. Spec info: transistor complementare (coppia) 2SA1940

Costo): 170pF. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 30 MHz. Funzione: Amplificatore di potenza HI-FI. Guadagno hFE massimo: 160. Guadagno hFE minimo: 80. Corrente del collettore: 10A. Marcatura sulla cassa: C5198 O. Numero di terminali: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 100W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: Transistor planare triplo diffuso . Alloggiamento: TO-3PN ( 2-16C1B ). Custodia (secondo scheda tecnica): 2-16C1B. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 140V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.3V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 2V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 140V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complementare (coppia) 2SA1941. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

Costo): 200pF. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 30 MHz. Funzione: Amplificatore di potenza HI-FI. Guadagno hFE massimo: 160. Guadagno hFE minimo: 80. Corrente del collettore: 15A. Marcatura sulla cassa: C5200 (Q). Numero di terminali: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 150W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: Transistor planare triplo diffuso . Alloggiamento: TO-264 ( TOP-3L ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-264 ( 2-21F1A ). Tipo di transistor: NPN. Temperatura di funzionamento: -...+150°C. Vcbo: 230V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.4V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 230V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complementare (coppia) 2SA1943. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

Tipo di transistor: transistor NPN. Polarità: NPN. Funzione: Amplificatore di potenza HI-FI. Tensione collettore-emettitore VCEO: 230V. Corrente del collettore: 15A. Frequenza massima: 30MHz. Potenza: 150W. Alloggiamento: TO-264