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Transistor NPN, 10A, 600V - 2SC5129-PMC

Transistor NPN, 10A, 600V - 2SC5129-PMC
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Transistor NPN, 10A, 600V - 2SC5129-PMC. Transistor NPN, 10A, 600V. Corrente del collettore: 10A. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 600V. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. Nota: MONITOR. Pd (dissipazione di potenza, massima): 50W. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Funzione: HA, Hi-res. Diodo CE: sì. Quantità in stock aggiornata il 21/04/2025, 03:25.

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2SC5129

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Transistor NPN, 10A, 2-16E3A, 600V, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Corrente del collettore: 10A. Custodia...
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Transistor NPN, 10A, 2-16E3A, 600V, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Corrente del collettore: 10A. Custodia (secondo scheda tecnica): 2-16E3A. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 600V. Alloggiamento: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 1.7 MHz. Funzione: MONITOR HA,Hi-res. Guadagno hFE massimo: 30. Guadagno hFE minimo: 10. Ic(impulso): 20A. Marcatura sulla cassa: C5129. Numero di terminali: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 50W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: Tipo MESA triplo diffuso . Tf(massimo): 0.3us. Tf(min): 0.15us. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Tensione di saturazione VCE(sat): 3V. Vebo: 5V. Spec info: tempo di caduta 0,15...03us (64kHz). Diodo CE: sì
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Transistor NPN, 10A, 2-16E3A, 600V, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Corrente del collettore: 10A. Custodia (secondo scheda tecnica): 2-16E3A. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 600V. Alloggiamento: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 1.7 MHz. Funzione: MONITOR HA,Hi-res. Guadagno hFE massimo: 30. Guadagno hFE minimo: 10. Ic(impulso): 20A. Marcatura sulla cassa: C5129. Numero di terminali: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 50W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: Tipo MESA triplo diffuso . Tf(massimo): 0.3us. Tf(min): 0.15us. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Tensione di saturazione VCE(sat): 3V. Vebo: 5V. Spec info: tempo di caduta 0,15...03us (64kHz). Diodo CE: sì
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