Componenti e apparecchiature elettroniche, per aziende e privati
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Transistor NPN, 10A, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), 2-16E3A, 600V - 2SC5129

Transistor NPN, 10A, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), 2-16E3A, 600V - 2SC5129
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Transistor NPN, 10A, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), 2-16E3A, 600V - 2SC5129. Transistor NPN, 10A, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), 2-16E3A, 600V. Corrente del collettore: 10A. Alloggiamento: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Custodia (secondo scheda tecnica): 2-16E3A. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 600V. Diodo CE: sì. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 1.7 MHz. Funzione: MONITOR HA,Hi-res. Guadagno hFE massimo: 30. Guadagno hFE minimo: 10. Ic(impulso): 20A. Marcatura sulla cassa: C5129. Numero di terminali: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 50W. RoHS: sì. Spec info: tempo di caduta 0,15...03us (64kHz). Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: Tipo MESA triplo diffuso . Tf(massimo): 0.3us. Tf(min): 0.15us. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Tensione di saturazione VCE(sat): 3V. Vebo: 5V. Prodotto originale del produttore Toshiba. Quantità in stock aggiornata il 08/06/2025, 06:25.

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Transistor NPN, 10A, 600V. Corrente del collettore: 10A. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 600V....
2SC5129-PMC
Transistor NPN, 10A, 600V. Corrente del collettore: 10A. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 600V. Diodo CE: sì. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: HA, Hi-res. Nota: MONITOR. Pd (dissipazione di potenza, massima): 50W. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 1500V
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Transistor NPN, 10A, 600V. Corrente del collettore: 10A. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 600V. Diodo CE: sì. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: HA, Hi-res. Nota: MONITOR. Pd (dissipazione di potenza, massima): 50W. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 1500V
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Transistor NPN, 10A, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), TO-3PF, 800V. Corrente del collettore: 10A. Alloggiam...
KSD5703
Transistor NPN, 10A, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), TO-3PF, 800V. Corrente del collettore: 10A. Alloggiamento: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-3PF. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 800V. Costo): 500pF. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: kHz. Funzione: "Deflessione orizzontale del display a colori ad alta tensione" . Guadagno hFE massimo: 40. Guadagno hFE minimo: 15. Ic(impulso): 30A. Numero di terminali: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 70W. RoHS: sì. Spec info: 0.1...0.3us. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tf(massimo): 0.3us. Tf(min): 1us. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Tensione di saturazione VCE(sat): 5V. Vebo: 6V
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Transistor NPN, 10A, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), TO-3PF, 800V. Corrente del collettore: 10A. Alloggiamento: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-3PF. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 800V. Costo): 500pF. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: kHz. Funzione: "Deflessione orizzontale del display a colori ad alta tensione" . Guadagno hFE massimo: 40. Guadagno hFE minimo: 15. Ic(impulso): 30A. Numero di terminali: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 70W. RoHS: sì. Spec info: 0.1...0.3us. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tf(massimo): 0.3us. Tf(min): 1us. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Tensione di saturazione VCE(sat): 5V. Vebo: 6V
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