Componenti e apparecchiature elettroniche, per aziende e privati

2SC5197

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2SC5197. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 30 MHz. Funzione: HI-FI. Corrente del collettore: 8A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 80W. Tipo di transistor: NPN. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 120V. Spec info: transistor complementare (coppia) 2SA1940. Quantità in stock aggiornata il 14/01/2025, 10:25.

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2SC3182

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Materiale semiconduttore: silicio. FT: 30 MHz. Corrente del collettore: 10A. Pd (dissipazione di pot...
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Materiale semiconduttore: silicio. FT: 30 MHz. Corrente del collettore: 10A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 100W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-3P. Tipo di transistor: NPN. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 140V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Spec info: transistor complementare (coppia) 2SA1265
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Materiale semiconduttore: silicio. FT: 30 MHz. Corrente del collettore: 10A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 100W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-3P. Tipo di transistor: NPN. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 140V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Spec info: transistor complementare (coppia) 2SA1265
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