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2SC3298-PMC

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25 - 44 1.65€ 2.01€
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2SC3298-PMC. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 100 MHz. Funzione: transistor a pacchetto isolato. Guadagno hFE massimo: 240. Guadagno hFE minimo: 70. Corrente del collettore: 1.5A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 20W. Alloggiamento: TO-220FP. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 160V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 160V. Vebo: 5V. Quantità per scatola: 1. Spec info: transistor complementare (coppia) 2SA1306. Quantità in stock aggiornata il 13/01/2025, 00:25.

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2SC5171

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Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 200 MHz. Guadagno hFE massimo: 320....
2SC5171
Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 200 MHz. Guadagno hFE massimo: 320. Guadagno hFE minimo: 50. Corrente del collettore: 2A. Marcatura sulla cassa: C5171. Numero di terminali: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 20W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: Tipo epitassiale . Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220F. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 180V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.16V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 180V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complementare (coppia) 2SA1930. Funzione: TV, SL. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS
2SC5171
Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 200 MHz. Guadagno hFE massimo: 320. Guadagno hFE minimo: 50. Corrente del collettore: 2A. Marcatura sulla cassa: C5171. Numero di terminali: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 20W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: Tipo epitassiale . Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220F. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 180V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.16V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 180V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complementare (coppia) 2SA1930. Funzione: TV, SL. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS
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