Transistor

Materiale semiconduttore: silicio. FT: 400 MHz. Funzione: Hi-def. Corrente del collettore: 0.2A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 15W. Tipo di transistor: NPN. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 200V. Quantità per scatola: 1. Spec info: transistor complementare (coppia) 2SA1476

RoHS: NINCS. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-92. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 50V/20V. Corrente collettore Ic [A], max.: 500mA. Dissipazione massima Ptot [W]: 0.5W

C(in): 4pF. Costo): 10pF. Materiale semiconduttore: silicio. Corrente del collettore: 5A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 40W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220F. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 900V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 550V. Quantità per scatola: 1

Resistenza B: 22. Resistenza BE: 22. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 260 MHz. Corrente del collettore: 2A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 1.5W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: TO-126F. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-126LP. Tipo di transistor: NPN. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 30 v. Funzione: hFE 800. Quantità per scatola: 1. Spec info: Hi-Ube, lo-sat.

RoHS: NINCS. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-98. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 40V/30V. Corrente collettore Ic [A], max.: 20mA. Dissipazione massima Ptot [W]: 0.1W

RoHS: NINCS. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-98. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 40V. Corrente collettore Ic [A], max.: 50mA. Dissipazione massima Ptot [W]: 0.2W

Resistenza B: 47. Resistenza BE: 10. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 300 MHz. Funzione: TV-ZF-E. Corrente del collettore: 0.05A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.3W. Tipo di transistor: NPN. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 75V. Quantità per scatola: 1

Costo): 50pF. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 15 MHz. Guadagno hFE minimo: 500. Corrente del collettore: 3A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 25W. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): MF20 TO220F. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 80V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 0.5V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 60V. Vebo: 6V. Quantità per scatola: 1. Funzione: Driver per solenoide e motore. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

Materiale semiconduttore: silicio. FT: 20 MHz. Corrente del collettore: 8A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 80W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-3P. Tipo di transistor: NPN. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 160V. Quantità per scatola: 1

Materiale semiconduttore: silicio. FT: 20 MHz. Corrente del collettore: 15A. Marcatura sulla cassa: C3856. Pd (dissipazione di potenza, massima): 130W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-3PB. Tipo di transistor: NPN. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 200V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Spec info: transistor complementare (coppia) 2SA1492

Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: TV-HA. Corrente del collettore: 5A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 50W. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 800V. Quantità per scatola: 1. Spec info: MONITOR

Materiale semiconduttore: silicio. Corrente del collettore: 7A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 50W. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 1400V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 600V. Quantità per scatola: 1. Spec info: MONITOR

Materiale semiconduttore: silicio. Corrente del collettore: 8A. Marcatura sulla cassa: C3886A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 50W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-3PF. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 600V. Vebo: 5V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Spec info: MONITOR. Alloggiamento: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A)

Materiale semiconduttore: silicio. FT: 450 MHz. Funzione: TV/IF. Corrente del collettore: 0.02A. Tipo di transistor: NPN. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 25V. Quantità per scatola: 1

Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: HA, Hi-res. Corrente del collettore: 7A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 50W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-3PF. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 600V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Spec info: Rbe 60 Ohms. Alloggiamento: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A)

Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: HA, Hi-res. Corrente del collettore: 8A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 50W. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 1400V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 600V. Quantità per scatola: 1. Spec info: MONITOR

Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: HA, Hi-res. Corrente del collettore: 8A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 50W. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 600V. Quantità per scatola: 1. Spec info: MONITOR

RoHS: NINCS. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: M31/J. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 180V. Corrente collettore Ic [A], max.: 12A. Dissipazione massima Ptot [W]: 130W

Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: HA hi-def.. Corrente del collettore: 15A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 180W. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 800V. Quantità per scatola: 1. Spec info: MONITOR

Materiale semiconduttore: silicio. FT: 70 MHz. Funzione: Applicazioni per driver ad alta tensione. Corrente del collettore: 0.2A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.6W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92. Tipo di transistor: NPN. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 400V. Quantità per scatola: 1. Spec info: hFE 100...200

Materiale semiconduttore: silicio. Corrente del collettore: 15A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 130W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: TO-247. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-247. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 600V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 450V. Quantità per scatola: 1. Funzione: S-L. Spec info: 500/2200ns

Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: UHF. Corrente del collettore: 0.065A. Potenza: 200mW. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 20V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 10V. Vebo: 1.5V. Quantità per scatola: 1. Spec info: 9000MHZ. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

Materiale semiconduttore: silicio. FT: 20 MHz. Funzione: Applicazioni dei regolatori di commutazione. Corrente del collettore: 7A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 50W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 500V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 400V. Quantità per scatola: 1. Spec info: 2SD4106M

Materiale semiconduttore: silicio. FT: 20 MHz. Funzione: Velocità di commutazione rapida. Guadagno hFE massimo: 50. Guadagno hFE minimo: 15. Corrente del collettore: 10A. Ic(impulso): 20A. Marcatura sulla cassa: C4107. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 60W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tf(massimo): 0.3us. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 500V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.8V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 400V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1

Materiale semiconduttore: silicio. FT: 30 MHz. Funzione: Convertitore di tensione CC/CC. Guadagno hFE massimo: 220. Guadagno hFE minimo: 70. Corrente del collettore: 7A. Ic(impulso): 14A. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 30W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220F. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 200V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.5V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 120V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Spec info: COB--110pF (VCB=10V, f=1MHzC)