Transistor

RoHS: NINCS. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: D8A/C. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 30V/19V. Corrente collettore Ic [A], max.: 50mA. Dissipazione massima Ptot [W]: 0.3W

RoHS: NINCS. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: D6/C. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 50V. Corrente collettore Ic [A], max.: 150mA. Dissipazione massima Ptot [W]: 0.2W

RoHS: NINCS. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-92. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 60V/50V. Corrente collettore Ic [A], max.: 150mA. Dissipazione massima Ptot [W]: 0.4W

Materiale semiconduttore: silicio. FT: 120 MHz. Funzione: TV-NF/E. Corrente del collettore: 1.5A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 10W. Tipo di transistor: NPN. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 180V. Quantità per scatola: 1. Spec info: transistor complementare (coppia) 2SA1249. Alloggiamento: TO-126 (TO-225, SOT-32)

Materiale semiconduttore: silicio. Corrente del collettore: 3A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 40W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220F. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 900V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 800V. Quantità per scatola: 1

Materiale semiconduttore: silicio. FT: 15 MHz. Funzione: Applicazioni dei regolatori di commutazione. Guadagno hFE massimo: 40. Guadagno hFE minimo: 20. Corrente del collettore: 3A. Ic(impulso): 10A. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 50W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: "Transistor al silicio planare triplo diffuso". Tf(massimo): 0.7us. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 900V. Tensione di saturazione VCE(sat): 2V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 800V. Vebo: 7V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1

Materiale semiconduttore: silicio. FT: 15 MHz. Funzione: S-L. Corrente del collettore: 6A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 100W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-3PB. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 900V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 800V. Quantità per scatola: 1

RoHS: NINCS. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-220. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: 2SC3157. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 100V. Corrente collettore Ic [A], max.: 10A. Dissipazione massima Ptot [W]: 60W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C. Famiglia di componenti: transistor di potenza NPN

Materiale semiconduttore: silicio. FT: 30 MHz. Corrente del collettore: 10A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 100W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-3P. Tipo di transistor: NPN. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 140V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Spec info: transistor complementare (coppia) 2SA1265

Materiale semiconduttore: silicio. FT: 550 MHz. Corrente del collettore: 0.02A. Tipo di transistor: NPN. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 40V. Quantità per scatola: 1

Materiale semiconduttore: silicio. FT: 660 MHz. Funzione: TV-ZF. Corrente del collettore: 0.05A. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92. Tipo di transistor: NPN. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 30 v. Quantità per scatola: 1

Materiale semiconduttore: silicio. FT: 130 MHz. Funzione: uso generale. Corrente del collettore: 0.15A. Marcatura sulla cassa: C3198. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.4W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92. Tipo di transistor: NPN. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 60V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

Resistenza B: NINCS. Resistenza BE: saldatura PCB. C(in): TO-92. Costo): 3.5pF. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 80 MHz. Funzione: uso generale. Guadagno hFE massimo: 700. Guadagno hFE minimo: 70. Corrente del collettore: 150mA. Temperatura: +125°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.2W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 50V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.1V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 50V. Vebo: 5V. Numero di terminali: 3. Spec info: sostituzione KTA1267. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

Materiale semiconduttore: silicio. FT: 200 MHz. Funzione: Hi-Beta, lo-sat.. Guadagno hFE minimo: 500. Corrente del collettore: 2A. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.9W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: Tipo epitassiale . Tf(massimo): 1.2us. Tf(min): 1us. Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92MOD ( 2-5J1A ). Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 40V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.3V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 40V. Vebo: 7V. Numero di terminali: 3. Nota: 9mm. Quantità per scatola: 1

Costo): 250pF. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 60 MHz. Guadagno hFE massimo: 140. Guadagno hFE minimo: 40. Corrente del collettore: 15A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 130W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Custodia (secondo scheda tecnica): SOT-93. Tipo di transistor: NPN. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Vcbo: 230V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 2V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 230V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complementare (coppia) 2SA1294. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

Materiale semiconduttore: silicio. FT: 60 MHz. Corrente del collettore: 17A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 200W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: NPN. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 230V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Spec info: transistor complementare (coppia) 2SA1295

Materiale semiconduttore: silicio. FT: 60 MHz. Corrente del collettore: 17A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 200W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Tipo di transistor: NPN. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 230V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Spec info: con questo caso solo fino ad esaurimento scorte!

Materiale semiconduttore: silicio. FT: 30 MHz. Funzione: NF-E HI-FI. Corrente del collettore: 12A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 120W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: TO-247. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-247. Tipo di transistor: NPN. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 160V. Quantità per scatola: 1. Spec info: transistor complementare (coppia) 2SA1301

Materiale semiconduttore: silicio. FT: 30 MHz. Funzione: NF-E HI-FI. Corrente del collettore: 15A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 150W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: TO-264 ( TOP-3L ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-264. Tipo di transistor: NPN. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 200V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Spec info: transistor complementare (coppia) 2SA1302. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

Materiale semiconduttore: silicio. FT: 60 MHz. Corrente del collettore: 14A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 125W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-3P. Tipo di transistor: NPN. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 150V. Quantità per scatola: 1. Spec info: transistor complementare (coppia) 2SA1303

Materiale semiconduttore: silicio. FT: 100 MHz. Funzione: transistor a pacchetto isolato. Guadagno hFE massimo: 240. Guadagno hFE minimo: 70. Corrente del collettore: 1.5A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 20W. Alloggiamento: TO-220FP. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 160V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 160V. Vebo: 5V. Quantità per scatola: 1. Spec info: transistor complementare (coppia) 2SA1306

Materiale semiconduttore: silicio. FT: 120 MHz. Guadagno hFE massimo: 240. Guadagno hFE minimo: 70. Corrente del collettore: 5A. Ic(impulso): 8A. Marcatura sulla cassa: C3303. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 20W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: "Tipo epitassiale (processo PCT)". Tf(massimo): 0.1us. Tf(min): 0.1us. Alloggiamento: TO-251 ( I-Pak ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-251AA ( I-PAK ). Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 100V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.2V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 80V. Vebo: 7V. Numero di terminali: 2. Quantità per scatola: 1

Materiale semiconduttore: silicio. FT: 120 MHz. Corrente del collettore: 5A. Ic(impulso): 8A. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Alloggiamento: D-PAK ( TO-252 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-252 ( D-PAK ). Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 100V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.2V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 0.4V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 100V. Vebo: 8V. Quantità per scatola: 1. Funzione: NF/SL. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

Materiale semiconduttore: silicio. FT: 120 MHz. Funzione: applicazioni di commutazione ad alta tensione. Corrente del collettore: 0.7A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.7W. Tipo di transistor: NPN. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 180V. Nota: hFE 140...280. Quantità per scatola: 1. Spec info: transistor complementare (coppia) 2SA1319

Materiale semiconduttore: silicio. Corrente del collettore: 5A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 40W. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 900V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 500V. Quantità per scatola: 1