Transistor

RoHS: NINCS. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-92. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 60V. Corrente collettore Ic [A], max.: 300mA. Dissipazione massima Ptot [W]: 0.6W

RoHS: NINCS. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-92. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 80V. Corrente collettore Ic [A], max.: 300mA. Dissipazione massima Ptot [W]: 0.6W

Materiale semiconduttore: silicio. FT: 550 MHz. Corrente del collettore: 0.1A. Tipo di transistor: NPN. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 35V. Quantità per scatola: 1

Materiale semiconduttore: silicio. FT: 10 MHz. Funzione: S-L. Guadagno hFE minimo: 30. Corrente del collettore: 2A. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 40W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tf(massimo): 1us. Tf(min): 1us. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 300V. Tensione di saturazione VCE(sat): 1V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 300V. Vebo: 6V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1

Materiale semiconduttore: silicio. FT: 175 MHz. Guadagno hFE massimo: 180. Guadagno hFE minimo: 10. Corrente del collettore: 0.3A. Temperatura: +135°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.6W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: Epytaxial Planar Type. Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 40V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 17V. Vebo: 4 v. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Funzione: Amplificatori RF sulla banda VHF

RoHS: NINCS. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-92. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 40V/25V. Corrente collettore Ic [A], max.: 50mA. Dissipazione massima Ptot [W]: 0.25W

RoHS: NINCS. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: D18/C. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 40V/32V. Corrente collettore Ic [A], max.: 700mA. Dissipazione massima Ptot [W]: 0.75W

RoHS: NINCS. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: E-33. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 40V/25V. Corrente collettore Ic [A], max.: 50mA. Dissipazione massima Ptot [W]: 0.25W

Materiale semiconduttore: silicio. FT: 4 MHz. Corrente del collettore: 1.5A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 25W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220. Tipo di transistor: NPN. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 150V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Spec info: transistor complementare (coppia) 2SA940. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

Materiale semiconduttore: silicio. FT: 27 MHz. Corrente del collettore: 4A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 6W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220. Tipo di transistor: NPN. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 75V. Quantità per scatola: 1

RoHS: NINCS. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-92. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 30V/20V. Corrente collettore Ic [A], max.: 30mA. Dissipazione massima Ptot [W]: 0.25W

Materiale semiconduttore: silicio. FT: 120MHz. Guadagno hFE massimo: 320. Guadagno hFE minimo: 100. Corrente del collettore: 1.5A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 900mW. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92M ( 9mm ). Tipo di transistor: NPN. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Vcbo: 30 v. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 1V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 30 v. Vebo: 5V. Quantità per scatola: 1. Spec info: transistor complementare (coppia) 2SA966. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

Materiale semiconduttore: silicio. FT: 100 MHz. Corrente del collettore: 1.5A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 25W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: TO-220. Tipo di transistor: NPN. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 160V. Quantità per scatola: 1. Spec info: transistor complementare (coppia) 2SA968

Costo): 3pF. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 100 MHz. Funzione: Basso rumore, amplificatore audio. Guadagno hFE massimo: 700. Guadagno hFE minimo: 350. Corrente del collettore: 0.1A. Marcatura sulla cassa: C2240BL. Temperatura: +125°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.3W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: "Tipo epitassiale (processo PCT)". Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92. Tipo di transistor: NPN. Temperatura di funzionamento: -55...+125°C. Vcbo: 120V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.3V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 120V. Vebo: 5V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Spec info: transistor complementare (coppia) 2SA970BL. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

Costo): 3pF. Transistor Darlington?: NINCS. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 100 MHz. Guadagno hFE massimo: 400. Guadagno hFE minimo: 200. Corrente del collettore: 0.1A. Marcatura sulla cassa: C224GR. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.3W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: "Tipo epitassiale (processo PCT)". Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92. Tipo di transistor: NPN. Temperatura di funzionamento: -55...+125°C. Vcbo: 120V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.3V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 120V. Vebo: 5V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Spec info: transistor complementare (coppia) 2SA970GR. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

RoHS: NINCS. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-92. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 60V/50V. Corrente collettore Ic [A], max.: 500mA. Dissipazione massima Ptot [W]: 0.6W

Materiale semiconduttore: silicio. FT: 200 MHz. Guadagno hFE massimo: 320. Guadagno hFE minimo: 35. Corrente del collettore: 1.5A. Ic(impulso): 3A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 25W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220. Tipo di transistor: NPN. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Vcbo: 120V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.3V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 120V. Vebo: 5V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

Materiale semiconduttore: silicio. FT: 80 MHz. Funzione: VID-L. Corrente del collettore: 0.1A. Tipo di transistor: NPN. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 300V. Quantità per scatola: 1

RoHS: NINCS. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-236. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 30V/20V. Corrente collettore Ic [A], max.: 30mA. Dissipazione massima Ptot [W]: 0.2W

Costo): 30pF. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 100MHz. Guadagno hFE massimo: 200. Guadagno hFE minimo: 60. Corrente del collettore: 1.5A. Ic(impulso): 3A. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 25W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 180V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.5V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 160V. Vebo: 6V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Funzione: Commutazione ad alta tensione, amplificatore di potenza AF. Spec info: transistor complementare (coppia) 2SA1011. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

RoHS: NINCS. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-92. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 30V/20V. Corrente collettore Ic [A], max.: 30mA. Dissipazione massima Ptot [W]: 0.25W

RoHS: NINCS. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-92. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 120V/100V. Corrente collettore Ic [A], max.: 50mA. Dissipazione massima Ptot [W]: 0.5W

Costo): 20pF. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 20 MHz. Funzione: CTV-NF/VA. Guadagno hFE massimo: 320. Guadagno hFE minimo: 160. Corrente del collettore: 1A. Marcatura sulla cassa: C2383 Y. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.9W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92M ( 9mm ). Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 160V. Tensione di saturazione VCE(sat): 1.5V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 160V. Vebo: 6V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Spec info: transistor complementare (coppia) 2SA1013. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

Materiale semiconduttore: silicio. FT: 180 MHz. Guadagno hFE massimo: 390. Guadagno hFE minimo: 180. Corrente del collettore: 0.15A. Marcatura sulla cassa: BQ. Temperatura: +155°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 200mW. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Alloggiamento: SOT-23 ( TO-236 ). Custodia (secondo scheda tecnica): SOT-23 ( TO236 ). Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 60V. Tensione di saturazione VCE(sat): 400mV. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 50V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Nota: serigrafia/codice SMD BQ. Spec info: transistor complementare (coppia) 2SA1037. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

RoHS: NINCS. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: P22/U. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 30V/20V. Corrente collettore Ic [A], max.: 50mA. Dissipazione massima Ptot [W]: 0.2W