Qnéuantità | Iva esclusa | IVA incl. |
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1 - 4 | 5.08€ | 6.20€ |
Qnéuantità | U.P | |
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1 - 4 | 5.08€ | 6.20€ |
2SC2275. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 200 MHz. Guadagno hFE massimo: 320. Guadagno hFE minimo: 35. Corrente del collettore: 1.5A. Ic(impulso): 3A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 25W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220. Tipo di transistor: NPN. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Vcbo: 120V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.3V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 120V. Vebo: 5V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS. Quantità in stock aggiornata il 13/01/2025, 08:25.
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