2N5416

2N5416. C(in): 75pF. Costo): 15pF. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 15 MHz. Funzione: Commutazione ad alta velocità e amplificatore lineare. Guadagno hFE massimo: 120. Guadagno hFE minimo: 30. Corrente del collettore: 1A. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 10W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: TO-39 ( TO-205 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-39. Tipo di transistor: PNP. Temperatura di funzionamento: -65...+200°C. Vcbo: 350V. Tensione di saturazione VCE(sat): 2V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 300V. Vebo: 6V. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS. Quantità in stock aggiornata il 12/01/2025, 12:25.