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2SC2023

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2SC2023. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 10 MHz. Funzione: S-L. Guadagno hFE minimo: 30. Corrente del collettore: 2A. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 40W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tf(massimo): 1us. Tf(min): 1us. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 300V. Tensione di saturazione VCE(sat): 1V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 300V. Vebo: 6V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Quantità in stock aggiornata il 13/01/2025, 08:25.

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Materiale semiconduttore: silicio. FT: 6 MHz. Funzione: TV-HA. Guadagno hFE massimo: 20. Guadagno hFE minimo: 12:1. Corrente del collettore: 7A. Ic(impulso): 15A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 60W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 400V. Tensione di saturazione VCE(sat): 1V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 200V. Vebo: 6V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS
BU406
Materiale semiconduttore: silicio. FT: 6 MHz. Funzione: TV-HA. Guadagno hFE massimo: 20. Guadagno hFE minimo: 12:1. Corrente del collettore: 7A. Ic(impulso): 15A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 60W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 400V. Tensione di saturazione VCE(sat): 1V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 200V. Vebo: 6V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS
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