Transistor

Materiale semiconduttore: silicio. FT: 70 MHz. Funzione: CSC2342. Corrente del collettore: 0.1A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.9W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92. Tipo di transistor: NPN. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 300V. Quantità per scatola: 1. Spec info: altezza 5 mm

Materiale semiconduttore: silicio. FT: 150 MHz. Guadagno hFE massimo: 600. Guadagno hFE minimo: 70. Corrente del collettore: 2A. Ic(impulso): 5A. Marcatura sulla cassa: C2500. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.9W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: Transistor al silicio epitassiale NPN. Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92M ( 9mm ). Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 30 v. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.2V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 30 v. Vebo: 6V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1

RoHS: NINCS. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-92. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 90V. Corrente collettore Ic [A], max.: 100mA. Dissipazione massima Ptot [W]: 0.4W

RoHS: NINCS. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-3. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 200V. Corrente collettore Ic [A], max.: 17A. Dissipazione massima Ptot [W]: 200W

Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: S-L. Corrente del collettore: 10A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 80W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: TO-3P ( TO3P ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-3P. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 450V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 400V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1

RoHS: NINCS. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: D17/C. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 150V. Corrente collettore Ic [A], max.: 50mA. Dissipazione massima Ptot [W]: 0.75W

RoHS: NINCS. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: D8/C. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 30V/20V. Corrente collettore Ic [A], max.: 50mA. Dissipazione massima Ptot [W]: 0.4W

RoHS: NINCS. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: D6/C. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 40V/30V. Corrente collettore Ic [A], max.: 20mA. Dissipazione massima Ptot [W]: 0.1W

Materiale semiconduttore: silicio. FT: 150 MHz. Corrente del collettore: 1A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.6W. Tipo di transistor: NPN. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 40V. Quantità per scatola: 1

Materiale semiconduttore: silicio. FT: 200 MHz. Corrente del collettore: 0.1A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 8W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: TO-126F. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-126F. Tipo di transistor: NPN. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 180V. Funzione: hFE 100...200. Quantità per scatola: 1. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

Costo): 19pF. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 155 MHz. Funzione: HF. Guadagno hFE massimo: 320. Guadagno hFE minimo: 160. Corrente del collettore: 1.2A. Ic(impulso): 2.5A. Marcatura sulla cassa: C2690A Y. Pd (dissipazione di potenza, massima): 20W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-126. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 160V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.4V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 0.7V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 160V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complementare (coppia) 2SA1220A. Alloggiamento: TO-126 (TO-225, SOT-32). Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

Costo): 1.8pF. Transistor Darlington?: NINCS. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 200 MHz. Funzione: amplificatore audio. Guadagno hFE massimo: 160. Guadagno hFE minimo: 80. Corrente del collettore: 50mA. Ic(impulso): 800mA. Marcatura sulla cassa: C2705. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.8W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: "Tipo epitassiale (processo PCT)". Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92MOD ( 2-5J1A ). Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 150V. Tensione di saturazione VCE(sat): 1V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 150V. Vebo: 5V. Numero di terminali: 3. Nota: 9mm. Quantità per scatola: 1. Spec info: transistor complementare (coppia) 2SA1145. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

Materiale semiconduttore: silicio. FT: 100 MHz. Guadagno hFE massimo: 700. Guadagno hFE minimo: 200. Corrente del collettore: 0.1A. Marcatura sulla cassa: DG. Pd (dissipazione di potenza, massima): 150mW. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Alloggiamento: SOT-23 ( TO-236 ). Custodia (secondo scheda tecnica): SOT-23 ( TO236 ). Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 120V. Tensione di saturazione VCE(sat): 300mV. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 120V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Nota: serigrafia/codice SMD DG. Spec info: transistor complementare (coppia) 2SA1163. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

RoHS: NINCS. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: SOT-103. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 25V/20V. Corrente collettore Ic [A], max.: 20mA. Dissipazione massima Ptot [W]: 0.2W

RoHS: NINCS. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-236. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 30V/20V. Corrente collettore Ic [A], max.: 30mA. Dissipazione massima Ptot [W]: 0.15W

RoHS: NINCS. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-92. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 120V. Corrente collettore Ic [A], max.: 100mA. Dissipazione massima Ptot [W]: 0.4W

RoHS: NINCS. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-92. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 180V. Corrente collettore Ic [A], max.: 50mA. Dissipazione massima Ptot [W]: 0.5W

Materiale semiconduttore: silicio. FT: 30 MHz. Funzione: Per il silenziamento e la commutazione. Guadagno hFE massimo: 1200. Guadagno hFE minimo: 200. Corrente del collettore: 300mA. Pd (dissipazione di potenza, massima): 400mW. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tf(massimo): 130 ns. Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 50V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.042V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 20V. Vebo: 25V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Spec info: Silicon NPN Epitaxial Type

RoHS: NINCS. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-92. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 180V/160V. Corrente collettore Ic [A], max.: 70mA. Dissipazione massima Ptot [W]: 0.6W

RoHS: sì. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-92. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: 2SC2910. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 180V/160V. Corrente collettore Ic [A], max.: 70mA. Frequenza di taglio ft [MHz]: 400. Dissipazione massima Ptot [W]: 0.6W. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.9W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tf(massimo): 0.2us. Tf(min): 0.2us. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92M ( 9mm ). Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 180V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.08V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 160V. Vebo: 5V. Numero di terminali: 3. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): 70mA. Range di temperatura di funzionamento max (°C): 140mA. Spec info: transistor complementare (coppia) 2SA1208

Materiale semiconduttore: silicio. FT: 150 MHz. Funzione: Velocità di commutazione rapida. Guadagno hFE massimo: 400. Guadagno hFE minimo: 100. Corrente del collettore: 0.14A. Ic(impulso): 0.2A. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 10W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tf(massimo): 0.1us. Tf(min): 0.1us. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-126. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 160V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.4V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 180V. Vebo: 5V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Spec info: transistor complementare (coppia) 2SA1209. Alloggiamento: TO-126 (TO-225, SOT-32). Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

RoHS: NINCS. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-92. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 60V/50V. Corrente collettore Ic [A], max.: 150mA. Dissipazione massima Ptot [W]: 0.25W

Materiale semiconduttore: silicio. FT: 20 MHz. Funzione: Applicazioni dei regolatori di commutazione. Corrente del collettore: 7A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 50W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 500V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 400V. Quantità per scatola: 1

RoHS: NINCS. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: D18/C. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 120V/100V. Corrente collettore Ic [A], max.: 200mA. Dissipazione massima Ptot [W]: 1W

Materiale semiconduttore: silicio. FT: 120 MHz. Funzione: Commutazione ad alta corrente. Guadagno hFE massimo: 240. Guadagno hFE minimo: 70. Corrente del collettore: 5A. Marcatura sulla cassa: C3074. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 20W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Tecnologia: Silicon NPN Epitaxial Type (PCT process). Alloggiamento: D-PAK ( TO-252 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 60V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.2V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 50V. Vebo: 5V. Numero di terminali: 2. Nota: per cambiare applicazione. Quantità per scatola: 1. Nota: transistor complementare (coppia) 2SA1244. Spec info: Lo-sat--Vce(sat)--0.2V