2SC2713-GR

2SC2713-GR. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 100 MHz. Guadagno hFE massimo: 700. Guadagno hFE minimo: 200. Corrente del collettore: 0.1A. Marcatura sulla cassa: DG. Pd (dissipazione di potenza, massima): 150mW. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Alloggiamento: SOT-23 ( TO-236 ). Custodia (secondo scheda tecnica): SOT-23 ( TO236 ). Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 120V. Tensione di saturazione VCE(sat): 300mV. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 120V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Nota: serigrafia/codice SMD DG. Spec info: transistor complementare (coppia) 2SA1163. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS. Quantità in stock aggiornata il 13/01/2025, 08:25.