2SC2673
| Qnéuantità | Iva esclusa | IVA incl. |
|---|---|---|
| 1 - 9 | 0.78€ | 0.95€ |
| 10 - 10 | 0.56€ | 0.68€ |
| Qnéuantità | U.P | |
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| 1 - 9 | 0.78€ | 0.95€ |
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2SC2673. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 150 MHz. Corrente del collettore: 1A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.6W. Tipo di transistor: NPN. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 40V. Quantità per scatola: 1. Quantità in stock aggiornata il 13/01/2025, 08:25.
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C(in): 50pF. Costo): 7pF. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 130 MHz. Guadagno hFE massimo: 250. Guadagno hFE minimo: 40. Corrente del collettore: 1A. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.8W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: transistor epitassiale planare . Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92. Tipo di transistor: NPN. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Vcbo: 45V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.5V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 45V. Vebo: 5V. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS
C(in): 50pF. Costo): 7pF. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 130 MHz. Guadagno hFE massimo: 250. Guadagno hFE minimo: 40. Corrente del collettore: 1A. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.8W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: transistor epitassiale planare . Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92. Tipo di transistor: NPN. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Vcbo: 45V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.5V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 45V. Vebo: 5V. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS
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