Componenti e apparecchiature elettroniche, per aziende e privati
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Transistor NPN, 100mA, TO-92, TO-92, 50V - BC557C

Transistor NPN, 100mA, TO-92, TO-92, 50V - BC557C
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Transistor NPN, 100mA, TO-92, TO-92, 50V - BC557C. Transistor NPN, 100mA, TO-92, TO-92, 50V. Corrente del collettore: 100mA. Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 50V. Diodo BE: NINCS. C(in): 10pF. Costo): 3.5pF. Diodo CE: NINCS. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 150 MHz. Guadagno hFE massimo: 800. Guadagno hFE minimo: 420. Ic(impulso): 200mA. Numero di terminali: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.5W. Spec info: transistor complementare (coppia) BC547C. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: Transistor planare epitassiale . Tipo di transistor: PNP. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Vcbo: 50V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.3V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 0.65V. Vebo: 5V. Quantità in stock aggiornata il 07/06/2025, 04:25.

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BC556C

BC556C

Transistor NPN, 100mA, TO-92, TO-92, 80V. Corrente del collettore: 100mA. Alloggiamento: TO-92. Cust...
BC556C
Transistor NPN, 100mA, TO-92, TO-92, 80V. Corrente del collettore: 100mA. Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 80V. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 150 MHz. Guadagno hFE massimo: 800. Guadagno hFE minimo: 420. Ic(impulso): 200mA. Numero di terminali: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.5W. RoHS: sì. Spec info: transistor complementare (coppia) BC546C. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: Transistor planare epitassiale . Tipo di transistor: PNP. Vcbo: 80V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.3V. Vebo: 5V
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Transistor NPN, 100mA, TO-92, TO-92, 80V. Corrente del collettore: 100mA. Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 80V. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 150 MHz. Guadagno hFE massimo: 800. Guadagno hFE minimo: 420. Ic(impulso): 200mA. Numero di terminali: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.5W. RoHS: sì. Spec info: transistor complementare (coppia) BC546C. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: Transistor planare epitassiale . Tipo di transistor: PNP. Vcbo: 80V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.3V. Vebo: 5V
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Transistor a canale P, 23A, 250mA, TO-247, TO-247AC, 100V. ID (T=25°C): 23A. Idss (massimo): 250mA....
IRFP9140N
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Tensione CC: 16V. Capacità: 100uF. Diametro: 5mm. Durata di vita: 2000 ore. Lunghezza: 11mm. Config...
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Transistor NPN, 1A, TO-92, TO-92M ( 9mm ), 80V. Corrente del collettore: 1A. Alloggiamento: TO-92. C...
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