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BC557C

Qnéuantità (Set da 10)	Iva esclusa	IVA incl.
1 - 4	0.41€	0.50€
5 - 9	0.39€	0.48€
10 - 24	0.37€	0.45€
25 - 49	0.35€	0.43€
50 - 99	0.41€	0.50€
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Qnéuantità (Set da 10)	U.P
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25 - 49	0.35€	0.43€
50 - 99	0.41€	0.50€
100 - 149	0.42€	0.51€
150 - 995	0.40€	0.49€

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Set da 10

BC557C. Alloggiamento: TO-92. Resistenza B: transistor PNP. Resistenza BE: -50V. C(in): 10pF. Costo): 3.5pF. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 150 MHz. Guadagno hFE massimo: 800. Guadagno hFE minimo: 420. Corrente del collettore: 100mA. Ic(impulso): 200mA. Numero di terminali: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.5W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: Transistor planare epitassiale . Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92. Tipo di transistor: PNP. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Vcbo: 50V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.3V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 0.65V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 50V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complementare (coppia) BC547C. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS. Quantità in stock aggiornata il 12/01/2025, 19:25.

Documentazione tecnica

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BC550C

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BC560C

Costo): 2.5pF. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 250 MHz. Funzione: h...

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Quantità in magazzino : 25

IRFP9140N

C(in): 1300pF. Costo): 400pF. Tipo di canale: P. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 150 ns....

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BD239C

Corrente del collettore: 2A. Alloggiamento: TO-220. Tipo di transistor: transistor di potenza NPN. P...

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0.73€ IVA incl.
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Quantità in magazzino : 8803

ELC100UF16P-105-H

Tensione CC: 16V. Capacità: 100uF. Diametro: 5mm. Durata di vita: 2000 ore. Lunghezza: 11mm. Config...

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0.0666€ IVA incl.
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Quantità in magazzino : 323

CONN-12010-A

Tipo di connettore: connettore a fila singola con passo da 2,00 mm. Funzione: connettore diritto, sa...

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Quantità in magazzino : 135

2SB647

Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 140 MHz. Funzione: uso generale. Gu...

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