Transistor

Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: UHF. Corrente del collettore: 0.1A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.2W. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Alloggiamento: SOT-23 ( TO-236 ). Custodia (secondo scheda tecnica): SOT-23 ( TO236 ). Tipo di transistor: NPN. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 20V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1

RoHS: NINCS. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-92. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 60V/50V. Corrente collettore Ic [A], max.: 200mA. Dissipazione massima Ptot [W]: 0.4W

RoHS: NINCS. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-92. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 60V/50V. Corrente collettore Ic [A], max.: 200mA. Dissipazione massima Ptot [W]: 0.4W

Materiale semiconduttore: silicio. Corrente del collettore: 0.1A. Tipo di transistor: NPN. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 50V. Quantità per scatola: 1

Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: 250 MHz. Corrente del collettore: 0.1A. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92. Tipo di transistor: NPN. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 50V. Quantità per scatola: 1

Materiale semiconduttore: silicio. FT: 200 MHz. Funzione: NF-L. Corrente del collettore: 0.05A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 5W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: TO-126F. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-126F. Tipo di transistor: NPN. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 150V. Quantità per scatola: 1. Spec info: transistor complementare (coppia) 2SA1360

Materiale semiconduttore: silicio. FT: 15 MHz. Corrente del collettore: 3A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 50W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 1100V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 800V. Funzione: hFE 15...30. Quantità per scatola: 1

Materiale semiconduttore: silicio. FT: 15 MHz. Corrente del collettore: 3A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 50W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 1100V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 800V. Funzione: hFE 20...40. Quantità per scatola: 1

Materiale semiconduttore: silicio. FT: 15 MHz. Funzione: Applicazioni dei regolatori di commutazione. Guadagno hFE massimo: 40. Guadagno hFE minimo: 10. Corrente del collettore: 6A. Ic(impulso): 20A. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 100W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: "Transistor al silicio planare triplo diffuso". Tf(massimo): 0.3us. Alloggiamento: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-3PB. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 1100V. Tensione di saturazione VCE(sat): 2V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 800V. Vebo: 7V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1

Costo): 1.7pF. Transistor Darlington?: NINCS. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 150 MHz. Guadagno hFE massimo: 320. Guadagno hFE minimo: 40. Corrente del collettore: 0.1A. Ic(impulso): 0.2A. Marcatura sulla cassa: C3467. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 1W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): SC-51 ( MP ). Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 200V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.6V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 200V. Vebo: 5V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Nota: Altezza 9 mm. Spec info: VCB=30V, f=1MHz, Cob 1.7pF, Cre 1.2pF. Funzione: Video, Hi-def. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

RoHS: NINCS. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-92. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 120V/100V. Corrente collettore Ic [A], max.: 50mA. Dissipazione massima Ptot [W]: 0.5W

Costo): 2.6pF. Transistor Darlington?: NINCS. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 150 MHz. Guadagno hFE massimo: 120. Guadagno hFE minimo: 60. Corrente del collettore: 0.1A. Ic(impulso): 0.2A. Marcatura sulla cassa: C3503-D. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 7W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: "Transistor epitassiale al silicio". Alloggiamento: TO-126F. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-126. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 300V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 0.6V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 300V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Funzione: Amplificatore di tensione audio, definizione CRT, uscita video. Spec info: transistor complementare (coppia) 2SA1381. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

Costo): 250pF. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 50 MHz. Guadagno hFE massimo: 180. Guadagno hFE minimo: 50. Corrente del collettore: 15A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 130W. Alloggiamento: TO-3P ( TO3P ). Tipo di transistor: NPN. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Vcbo: 180V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 2V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 180V. Vebo: 5V. Funzione: per amplificatori audio Hi-Fi. Tecnologia: Transistor planare epitassiale NPN. Custodia (secondo scheda tecnica): TO3P-3L. Spec info: transistor complementare (coppia) 2SA1386A. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

Materiale semiconduttore: silicio. FT: 250MHz. Funzione: Hi-beta. Guadagno hFE massimo: 3200. Guadagno hFE minimo: 800. Corrente del collettore: 700mA. Ic(impulso): 1A. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): SC-43B, TO92. Tipo di transistor: NPN. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Vcbo: 25V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.14V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 0.3V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 25V. Vebo: 15V. Quantità per scatola: 1

RoHS: NINCS. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-92. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 50V. Corrente collettore Ic [A], max.: 100mA. Dissipazione massima Ptot [W]: 0.4W

RoHS: NINCS. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-92. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 50V. Corrente collettore Ic [A], max.: 100mA. Dissipazione massima Ptot [W]: 0.4W

RoHS: NINCS. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: M31/J. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 1500V/800V. Corrente collettore Ic [A], max.: 8A. Dissipazione massima Ptot [W]: 150W

Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: TV-HA. Corrente del collettore: 10A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 150W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-3P. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 800V. Quantità per scatola: 1. Spec info: Hi-deflect (MONITOR)

Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: TV-HA. Corrente del collettore: 10A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 150W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-3P. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 800V. Quantità per scatola: 1. Spec info: Hi-deflect (MONITOR)

Materiale semiconduttore: silicio. FT: 120 MHz. Funzione: Applicazioni di azionamento a bassa frequenza. Corrente del collettore: 0.5A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.6W. Tipo di transistor: NPN. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 80V. Nota: hFE 140...280. Quantità per scatola: 1. Spec info: transistor complementare (coppia) 2SA1480

RoHS: NINCS. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-98. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 30V/18V. Corrente collettore Ic [A], max.: 100mA. Dissipazione massima Ptot [W]: 0.2W

RoHS: NINCS. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-98. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 35V/30V. Corrente collettore Ic [A], max.: 100mA. Dissipazione massima Ptot [W]: 0.2W

RoHS: NINCS. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-98. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 35V/30V. Corrente collettore Ic [A], max.: 100mA. Dissipazione massima Ptot [W]: 0.2W

Funzione: S-L. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220F. Quantità per scatola: 1

RoHS: NINCS. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-92. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 25V/16V. Corrente collettore Ic [A], max.: 50mA. Dissipazione massima Ptot [W]: 0.4W