Transistor

Materiale semiconduttore: silicio. FT: 270 MHz. Corrente del collettore: 0.7A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.6W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92. Tipo di transistor: NPN. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 30 v. Funzione: hFE1 1500, hFE2 600 . Quantità per scatola: 1. Spec info: Lo-Sat Vce(sat)<0.5V

RoHS: sì. Famiglia di componenti: doppio transistor bipolare NPN. Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: SMV-5. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 5. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 50V. Corrente collettore Ic [A], max.: 0.15A. Frequenza di taglio ft [MHz]: 80 MHz. Dissipazione massima Ptot [W]: 0.3W

Materiale semiconduttore: silicio. FT: 8 MHz. Funzione: (F). Corrente del collettore: 3A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 45W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 1200V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 800V. Vebo: 7V. Quantità per scatola: 1

Materiale semiconduttore: silicio. FT: 8 MHz. Funzione: Transistor di potenza di commutazione. Corrente del collettore: 3A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 80W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-3P. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 1200V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 800V. Quantità per scatola: 1. Spec info: Serie HFX

Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: S-L. Corrente del collettore: 10A. Ic(impulso): 20A. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 150W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-3P. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 1200V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 800V

Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 20 MHz. Funzione: S-L. Corrente del collettore: 10A. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 100W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: TO-247. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-247. Tipo di transistor: NPN. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 150V. Spec info: transistor complementare (coppia) 2SA1633. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: Amplificatore VHF a banda larga. Corrente del collettore: 0.3A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.6W. Tipo di transistor: NPN. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 30 v

Costo): 35pF. Condizionamento: tubo di plastica. Unità di condizionamento: 50. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 15 MHz. Funzione: Transistor NPN ad alta tensione per applicazioni audio e generiche.. Guadagno hFE minimo: 60. Corrente del collettore: 2A. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 25W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): FM20 (TO220F). Tipo di transistor: NPN. Temperatura di funzionamento: -...+150°C. Vcbo: 200V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 1V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 200V. Vebo: 6V. Spec info: transistor complementare (coppia) 2SA1668. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 20 MHz. Funzione: transistor a pacchetto isolato. Corrente del collettore: 8A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 75W. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 160V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 120V. Spec info: transistor complementare (coppia) 2SA1671

Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 20 MHz. Funzione: transistor a pacchetto isolato. Corrente del collettore: 10A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 80W. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 180V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 140V. Spec info: transistor complementare (coppia) 2SA1672

Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 20 MHz. Funzione: transistor a pacchetto isolato. Corrente del collettore: 15A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 85W. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 200V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 160V. Spec info: transistor complementare (coppia) 2SA1673

Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 15 MHz. Funzione: SMPS. Corrente del collettore: 8A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 60W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-3PML. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 1100V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 800V. Alloggiamento: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 20 MHz. Corrente del collettore: 10A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 80W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-3P. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 200V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 140V. Funzione: NF/L. Spec info: transistor complementare (coppia) 2SA1695

Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 20 MHz. Corrente del collettore: 10A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 80W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-3P. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 200V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 140V. Funzione: NF/L. Spec info: transistor complementare (coppia) 2SA1695

Costo): 30pF. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 40 MHz. Funzione: High hFE, LOW Vce(sat). Corrente del collettore: 3A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 25W. Tecnologia: Transistor planare triplo diffuso NPN. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): FM20 (TO220F). Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 80V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 0.5V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 50V. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 6 MHz. Funzione: Transistor di commutazione ad alta tensione. Guadagno hFE massimo: 30. Guadagno hFE minimo: 10. Corrente del collettore: 3A. Ic(impulso): 6A. Numero di terminali: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 30W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: Transistor planare triplo diffuso . Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220F. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 900V. Tensione di saturazione VCE(sat): 1.2V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 550V. Vebo: 7V

Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: (F). Corrente del collettore: 10A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 50W. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 600V

Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: Alta risoluzione . Corrente del collettore: 10A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 50W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Custodia (secondo scheda tecnica): SOT-93. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 600V. Spec info: MONITOR

RoHS: NINCS. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: D35/B. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 30 v. Corrente collettore Ic [A], max.: 100mA. Dissipazione massima Ptot [W]: 0.2W

Costo): 14pF. Condizionamento: rotolo. Unità di condizionamento: 2500. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 120 MHz. Guadagno hFE massimo: 400. Guadagno hFE minimo: 200. Corrente del collettore: 1.5A. Ic(impulso): 2.5A. Marcatura sulla cassa: 12.9k Ohms. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 1W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tf(massimo): 80 ns. Tf(min): 80 ns. Alloggiamento: SC-71. Custodia (secondo scheda tecnica): SC-71. Tipo di transistor: NPN. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Vcbo: 180V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.13V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 160V. Vebo: 6V. Spec info: transistor complementare (coppia) 2SA1770. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. Corrente del collettore: 10mA. Nota: Ic 10mA/30mApp. Pd (dissipazione di potenza, massima): 2W. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 1500V. Funzione: messa a fuoco dinamica, commutazione ad alta tensione. Spec info: TO-220FI (Forming)

Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. Corrente del collettore: 10mA. Nota: Ic 10mA/30mApp. Pd (dissipazione di potenza, massima): 2W. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 2000V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 1800V. Funzione: messa a fuoco dinamica. Spec info: TO-220FI

Costo): 25pF. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 210 MHz. Funzione: Io-sab. Guadagno hFE massimo: 270. Guadagno hFE minimo: 120. Corrente del collettore: 2A. Nota: serigrafia/codice SMD DK. Marcatura sulla cassa: DK. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Alloggiamento: SOT-89. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 60V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.13V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 0.35V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 50V. Vebo: 6V. Spec info: transistor complementare (coppia) 2SA1797. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 5.5 MHz. Funzione: Applicazioni TV Dynamic Focus. Corrente del collettore: 50mA. Nota: applicazioni di commutazione ad alta tensione. Pd (dissipazione di potenza, massima): 10W. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 1200V. Spec info: TO-220F

Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 30 MHz. Funzione: HI-FI NF-E. Corrente del collettore: 5A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 55W. Tipo di transistor: NPN. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 80V. Nota: (F). Spec info: transistor complementare (coppia) 2SA1803