Componenti e apparecchiature elettroniche, per aziende e privati
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2SC4204

2SC4204
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2SC4204. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 270 MHz. Corrente del collettore: 0.7A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.6W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92. Tipo di transistor: NPN. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 30 v. Funzione: hFE1 1500, hFE2 600 . Quantità per scatola: 1. Spec info: Lo-Sat Vce(sat)<0.5V. Quantità in stock aggiornata il 13/01/2025, 17:25.

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2SC3225
Materiale semiconduttore: silicio. FT: 200 MHz. Funzione: Hi-Beta, lo-sat.. Guadagno hFE minimo: 500. Corrente del collettore: 2A. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.9W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: Tipo epitassiale . Tf(massimo): 1.2us. Tf(min): 1us. Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92MOD ( 2-5J1A ). Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 40V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.3V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 40V. Vebo: 7V. Numero di terminali: 3. Nota: 9mm. Quantità per scatola: 1
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Materiale semiconduttore: silicio. FT: 200 MHz. Funzione: Hi-Beta, lo-sat.. Guadagno hFE minimo: 500. Corrente del collettore: 2A. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.9W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: Tipo epitassiale . Tf(massimo): 1.2us. Tf(min): 1us. Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92MOD ( 2-5J1A ). Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 40V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.3V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 40V. Vebo: 7V. Numero di terminali: 3. Nota: 9mm. Quantità per scatola: 1
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Materiale semiconduttore: silicio. FT: 250MHz. Funzione: Hi-beta. Guadagno hFE massimo: 3200. Guadagno hFE minimo: 800. Corrente del collettore: 700mA. Ic(impulso): 1A. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): SC-43B, TO92. Tipo di transistor: NPN. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Vcbo: 25V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.14V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 0.3V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 25V. Vebo: 15V. Quantità per scatola: 1
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Materiale semiconduttore: silicio. FT: 250MHz. Funzione: Hi-beta. Guadagno hFE massimo: 3200. Guadagno hFE minimo: 800. Corrente del collettore: 700mA. Ic(impulso): 1A. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): SC-43B, TO92. Tipo di transistor: NPN. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Vcbo: 25V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.14V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 0.3V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 25V. Vebo: 15V. Quantità per scatola: 1
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