2SC3225

2SC3225. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 200 MHz. Funzione: Hi-Beta, lo-sat.. Guadagno hFE minimo: 500. Corrente del collettore: 2A. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.9W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: Tipo epitassiale . Tf(massimo): 1.2us. Tf(min): 1us. Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92MOD ( 2-5J1A ). Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 40V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.3V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 40V. Vebo: 7V. Numero di terminali: 3. Nota: 9mm. Quantità per scatola: 1. Quantità in stock aggiornata il 13/01/2025, 08:25.