Componenti e apparecchiature elettroniche, per aziende e privati
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2SC3616

2SC3616
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2SC3616. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 250MHz. Funzione: Hi-beta. Guadagno hFE massimo: 3200. Guadagno hFE minimo: 800. Corrente del collettore: 700mA. Ic(impulso): 1A. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): SC-43B, TO92. Tipo di transistor: NPN. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Vcbo: 25V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.14V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 0.3V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 25V. Vebo: 15V. Quantità per scatola: 1. Quantità in stock aggiornata il 13/01/2025, 10:25.

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2SC4204

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Materiale semiconduttore: silicio. FT: 270 MHz. Corrente del collettore: 0.7A. Pd (dissipazione di p...
2SC4204
Materiale semiconduttore: silicio. FT: 270 MHz. Corrente del collettore: 0.7A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.6W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92. Tipo di transistor: NPN. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 30 v. Funzione: hFE1 1500, hFE2 600 . Quantità per scatola: 1. Spec info: Lo-Sat Vce(sat)<0.5V
2SC4204
Materiale semiconduttore: silicio. FT: 270 MHz. Corrente del collettore: 0.7A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.6W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92. Tipo di transistor: NPN. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 30 v. Funzione: hFE1 1500, hFE2 600 . Quantità per scatola: 1. Spec info: Lo-Sat Vce(sat)<0.5V
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Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Alloggiamento: LQFP. Custodia...
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209-32506

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Nota: U87C51HB...
209-32506
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Esaurito
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Transistor Darlington?: sì. Materiale semiconduttore: silicio. Corrente del collettore: 12A. Pd (di...
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Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 100 MHz. Guadagno hFE massimo: 300....
2N3019-ST
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