Componenti e apparecchiature elettroniche, per aziende e privati

2N3019-ST

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25 - 49 0.94€ 1.15€
50 - 99 0.92€ 1.12€
100 - 249 0.90€ 1.10€
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2N3019-ST. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 100 MHz. Guadagno hFE massimo: 300. Guadagno hFE minimo: 100. Corrente del collettore: 1A. Numero di terminali: 3. Temperatura: +175°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.8W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: transistor epitassiale planare . Alloggiamento: TO-39 ( TO-205 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-39. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 140V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.2V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 80V. Vebo: 7V. Quantità in stock aggiornata il 12/01/2025, 10:25.

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2N3019

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RoHS: sì. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-39. Custodia (standard JEDEC): TO-39. Con...
2N3019
RoHS: sì. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-39. Custodia (standard JEDEC): TO-39. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: 2N3019. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 80V. Corrente collettore Ic [A], max.: 1A. Frequenza di taglio ft [MHz]: 100 MHz. Dissipazione massima Ptot [W]: 0.8W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -65°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +175°C. Famiglia di componenti: transistor NPN. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: TO-39 ( TO-205 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-39. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 140V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 0.2V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 80V. Vebo: 7V
2N3019
RoHS: sì. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-39. Custodia (standard JEDEC): TO-39. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: 2N3019. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 80V. Corrente collettore Ic [A], max.: 1A. Frequenza di taglio ft [MHz]: 100 MHz. Dissipazione massima Ptot [W]: 0.8W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -65°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +175°C. Famiglia di componenti: transistor NPN. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: TO-39 ( TO-205 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-39. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 140V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 0.2V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 80V. Vebo: 7V
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2N1711

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25TTS12S

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Condizionamento: tubo di plastica. Unità di condizionamento: 50. Igt (massimo): 45mA. Igt (tipo): 2...
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Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 200 MHz. Funzione: amplificatore, t...
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TIP122

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COIL-7650

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Nota: TR=-044-010. Nota: M4 1.37uH...
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Materiale: FR2. Foglio di plastica: Incisione riga per riga su un lato, pannello di prova. Dimension...
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CFR1-4W-150R

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Resistenza: 150 Ohms. Potenza: 0.25W. Tipo di resistore: strato di carbonio. Nota: CFR1/4W E12. Nota...
CFR1-4W-150R
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CABLE-FLAT10

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Unità di condizionamento: 30.5 m. Tipo di cavo: cavo a nastro piatto. Dimensioni esterne: 12.7x0.9m...
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