Qnéuantità | Iva esclusa | IVA incl. |
---|---|---|
1 - 4 | 1.11€ | 1.35€ |
5 - 9 | 1.05€ | 1.28€ |
10 - 24 | 1.00€ | 1.22€ |
25 - 49 | 0.94€ | 1.15€ |
50 - 99 | 0.92€ | 1.12€ |
100 - 249 | 0.90€ | 1.10€ |
250 - 667 | 0.85€ | 1.04€ |
Qnéuantità | U.P | |
---|---|---|
1 - 4 | 1.11€ | 1.35€ |
5 - 9 | 1.05€ | 1.28€ |
10 - 24 | 1.00€ | 1.22€ |
25 - 49 | 0.94€ | 1.15€ |
50 - 99 | 0.92€ | 1.12€ |
100 - 249 | 0.90€ | 1.10€ |
250 - 667 | 0.85€ | 1.04€ |
2N3019-ST. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 100 MHz. Guadagno hFE massimo: 300. Guadagno hFE minimo: 100. Corrente del collettore: 1A. Numero di terminali: 3. Temperatura: +175°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.8W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: transistor epitassiale planare . Alloggiamento: TO-39 ( TO-205 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-39. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 140V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.2V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 80V. Vebo: 7V. Quantità in stock aggiornata il 12/01/2025, 10:25.
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