Componenti e apparecchiature elettroniche, per aziende e privati
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2N3019

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50 - 99 0.68€ 0.83€
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2N3019. RoHS: sì. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-39. Custodia (standard JEDEC): TO-39. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: 2N3019. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 80V. Corrente collettore Ic [A], max.: 1A. Frequenza di taglio ft [MHz]: 100 MHz. Dissipazione massima Ptot [W]: 0.8W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -65°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +175°C. Famiglia di componenti: transistor NPN. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: TO-39 ( TO-205 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-39. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 140V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 0.2V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 80V. Vebo: 7V. Quantità in stock aggiornata il 12/01/2025, 10:25.

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2N3019-ST

2N3019-ST

Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 100 MHz. Guadagno hFE massimo: 300....
2N3019-ST
Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 100 MHz. Guadagno hFE massimo: 300. Guadagno hFE minimo: 100. Corrente del collettore: 1A. Numero di terminali: 3. Temperatura: +175°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.8W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: transistor epitassiale planare . Alloggiamento: TO-39 ( TO-205 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-39. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 140V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.2V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 80V. Vebo: 7V
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Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 100 MHz. Guadagno hFE massimo: 300. Guadagno hFE minimo: 100. Corrente del collettore: 1A. Numero di terminali: 3. Temperatura: +175°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.8W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: transistor epitassiale planare . Alloggiamento: TO-39 ( TO-205 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-39. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 140V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.2V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 80V. Vebo: 7V
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2N2905A

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PP-1747

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Materiale: FR2. Foglio di plastica: Incisione riga per riga su un lato, pannello di prova. Dimension...
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3.27€ IVA incl.
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Quantità in magazzino : 139
CABLE-FLAT10

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Unità di condizionamento: 30.5 m. Tipo di cavo: cavo a nastro piatto. Dimensioni esterne: 12.7x0.9m...
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CFR1-4W-150R

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Resistenza: 150 Ohms. Potenza: 0.25W. Tipo di resistore: strato di carbonio. Nota: CFR1/4W E12. Nota...
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CFR1-4W-150R
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2N4033

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Costo): 20pF. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 150...500 MHz. Funzio...
2N4033
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2N5416

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C(in): 75pF. Costo): 15pF. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 15 MHz. ...
2N5416
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