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2SC4388

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2SC4388. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 20 MHz. Funzione: transistor a pacchetto isolato. Corrente del collettore: 15A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 85W. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 200V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 160V. Spec info: transistor complementare (coppia) 2SA1673. Quantità in stock aggiornata il 13/01/2025, 17:25.

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2SC3263
Costo): 250pF. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 60 MHz. Guadagno hFE massimo: 140. Guadagno hFE minimo: 40. Corrente del collettore: 15A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 130W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Custodia (secondo scheda tecnica): SOT-93. Tipo di transistor: NPN. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Vcbo: 230V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 2V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 230V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complementare (coppia) 2SA1294. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS
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Costo): 250pF. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 60 MHz. Guadagno hFE massimo: 140. Guadagno hFE minimo: 40. Corrente del collettore: 15A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 130W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Custodia (secondo scheda tecnica): SOT-93. Tipo di transistor: NPN. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Vcbo: 230V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 2V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 230V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complementare (coppia) 2SA1294. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS
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Costo): 6pF. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 4 MHz. Funzione: hFE=25 Min @ IC=8Adc. Guadagno hFE massimo: 75. Guadagno hFE minimo: 25. Corrente del collettore: 16A. Ic(impulso): 30A. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 200W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: Base epitassiale . Alloggiamento: TO-264 ( TOP-3L ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO–3PBL. Tipo di transistor: NPN. Temperatura di funzionamento: -65...+150°C. Vcbo: 400V. Tensione di saturazione VCE(sat): 1.4V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 250V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complementare (coppia) MJL21193. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS
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