2SC4672C6Q
| Qnéuantità | Iva esclusa | IVA incl. |
|---|---|---|
| 1 - 4 | 1.30€ | 1.59€ |
| 5 - 9 | 1.23€ | 1.50€ |
| 10 - 24 | 1.17€ | 1.43€ |
| 25 - 39 | 1.10€ | 1.34€ |
| Qnéuantità | U.P | |
|---|---|---|
| 1 - 4 | 1.30€ | 1.59€ |
| 5 - 9 | 1.23€ | 1.50€ |
| 10 - 24 | 1.17€ | 1.43€ |
| 25 - 39 | 1.10€ | 1.34€ |
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2SC4672C6Q. Costo): 25pF. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 210 MHz. Funzione: Io-sab. Guadagno hFE massimo: 270. Guadagno hFE minimo: 120. Corrente del collettore: 2A. Nota: serigrafia/codice SMD DK. Marcatura sulla cassa: DK. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Alloggiamento: SOT-89. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 60V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.13V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 0.35V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 50V. Vebo: 6V. Spec info: transistor complementare (coppia) 2SA1797. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS. Quantità in stock aggiornata il 13/01/2025, 17:25.
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Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 150 MHz. Guadagno hFE massimo: 280. Guadagno hFE minimo: 140. Corrente del collettore: 3A. Ic(impulso): 6A. Marcatura sulla cassa: DG. Numero di terminali: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.5W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Tecnologia: "Transistor al silicio planari epitassiali". Tf(massimo): 35 ns. Tf(min): 35 ns. Alloggiamento: SOT-89 4-Pin ( 3+Tab ). Custodia (secondo scheda tecnica): SOT-89. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 60V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.35V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 50V. Vebo: 6V. Funzione: commutazione ad alta corrente, tensione a bassa saturazione . Spec info: serigrafia/codice SMD DG
Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 150 MHz. Guadagno hFE massimo: 280. Guadagno hFE minimo: 140. Corrente del collettore: 3A. Ic(impulso): 6A. Marcatura sulla cassa: DG. Numero di terminali: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.5W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Tecnologia: "Transistor al silicio planari epitassiali". Tf(massimo): 35 ns. Tf(min): 35 ns. Alloggiamento: SOT-89 4-Pin ( 3+Tab ). Custodia (secondo scheda tecnica): SOT-89. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 60V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.35V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 50V. Vebo: 6V. Funzione: commutazione ad alta corrente, tensione a bassa saturazione . Spec info: serigrafia/codice SMD DG
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