2SD1623S

2SD1623S. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 150 MHz. Guadagno hFE massimo: 280. Guadagno hFE minimo: 140. Corrente del collettore: 2A. Ic(impulso): 4A. Nota: transistor complementare (coppia) 2SB1123S. Marcatura sulla cassa: DF. Numero di terminali: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.5W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Tecnologia: Transistor epitassiale planare al silicio . Tf(massimo): 30 ns. Tf(min): 30 ns. Alloggiamento: SOT-89 4-Pin ( 3+Tab ). Custodia (secondo scheda tecnica): SOT-89. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 60V. Tensione di saturazione VCE(sat): 1.5V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 50V. Vebo: 6V. Funzione: commutazione ad alta corrente, tensione a bassa saturazione . Spec info: serigrafia/codice SMD DF. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS. Quantità in stock aggiornata il 14/01/2025, 11:25.