2SK2615

2SK2615. C(in): 150pF. Costo): 70pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo. Diodo Trr (min.): 100 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Transistor ad effetto di campo. Protezione GS: soppressore. Id(imp): 6A. ID (T=100°C): 1.5A. ID (T=25°C): 2A. Idss (massimo): 100uA. Marcatura sulla cassa: ZA. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 1.5W. Rds sulla resistenza attiva: 0.33 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Td(spento): 150 ns. Td(acceso): 30 ns. Tecnologia: Tipo MOS (L2.TT.MOSV). Alloggiamento: SOT-89 4-Pin ( 3+Tab ). Custodia (secondo scheda tecnica): SOT-89 ( 2-5K1B ). Voltaggio Vds(max): 60V. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) min.: 0.8V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Quantità in stock aggiornata il 12/01/2025, 15:25.