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2SC4531. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: (F). Corrente del collettore: 10A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 50W. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 600V. Quantità in stock aggiornata il 13/01/2025, 17:25.

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BU2520DX
Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. Corrente del collettore: 10A. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 45W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-3PF. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 800V. Alloggiamento: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A)
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Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. Corrente del collettore: 10A. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 45W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-3PF. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 800V. Alloggiamento: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A)
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Resistenza: 11k Ohms. Potenza: 0.0625W. Alloggiamento: 0402. Tolleranza: 5%. Resistenza (R): 11K0...
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Costo): 145pF. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: CTV-HA Hi-re. Corrente del collettore: 1...
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Materiale semiconduttore: silicio. FT: kHz. Guadagno hFE massimo: 14. Guadagno hFE minimo: 6. Corren...
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