Transistor

Costo): 200pF. Condizionamento: tubo di plastica. Unità di condizionamento: 30. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 30 MHz. Funzione: HI-FI. Guadagno hFE massimo: 160. Guadagno hFE minimo: 5. Corrente del collettore: 15A. Marcatura sulla cassa: C5242. Numero di terminali: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 130W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Custodia (secondo scheda tecnica): 2-16C1A. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 230V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.4V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 230V. Spec info: transistor complementare (coppia) 2SA1962. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 3 MHz. Guadagno hFE massimo: 12:1. Guadagno hFE minimo: 5. Corrente del collettore: 15A. Ic(impulso): 30A. Numero di terminali: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 200W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: Tipo mesa a tripla diffusione . Tf(massimo): 0.2us. Tf(min): 0.12us. Alloggiamento: TO-264 ( TOP-3L ). Custodia (secondo scheda tecnica): TOP-3L. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 1700V. Tensione di saturazione VCE(sat): 3V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 1700V. Vebo: 6V

Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: Display-HA. Corrente del collettore: 12A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 50W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 800V. Spec info: MONITOR. Diodo CE: sì

Resistenza BE: 43 Ohms. Transistor Darlington?: NINCS. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. Guadagno hFE massimo: 25. Guadagno hFE minimo: 15. Corrente del collettore: 8A. Ic(impulso): 16A. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 60W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tf (tipo): 0.1 ns. Tf(massimo): 0.2us. Tf(min): 0.1us. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-3PML. Tipo di transistor: NPN. Temperatura di funzionamento: -...+150°C. Vcbo: 1500V. Tensione di saturazione VCE(sat): 5V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 800V. Vebo: 6V. Alloggiamento: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Diodo BE: NINCS. Diodo CE: sì

Transistor Darlington?: NINCS. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. Guadagno hFE massimo: 30. Guadagno hFE minimo: 20. Corrente del collettore: 8A. Ic(impulso): 16A. Numero di terminali: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 60W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tf(massimo): 0.2us. Tf(min): 0.1us. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-3PML. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Tensione di saturazione VCE(sat): 5V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 800V. Alloggiamento: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A)

Transistor Darlington?: NINCS. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: Per deflessione orizzontale ad alta risoluzione. Guadagno hFE massimo: 30. Guadagno hFE minimo: 20. Corrente del collettore: 10A. Ic(impulso): 25A. Numero di terminali: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 70W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tf(massimo): 0.2us. Tf(min): 0.1us. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-3PML. Tipo di transistor: NPN. Temperatura di funzionamento: -...+150°C. Vcbo: 1500V. Tensione di saturazione VCE(sat): 5V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 800V. Spec info: Display-HA MONITOR. Alloggiamento: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. Corrente del collettore: 20A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 120W. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 800V. Spec info: 8.729.033.99. Diodo CE: sì

Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: kHz. Funzione: Ultrahigh-Definition CRT Display. Guadagno hFE massimo: 30. Guadagno hFE minimo: 4. Corrente del collettore: 15A. Ic(impulso): 35A. Marcatura sulla cassa: C5302. Numero di terminali: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 75W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: "Transistor al silicio planare triplo diffuso". Tf(massimo): 0.2us. Tf(min): 0.1us. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-3PML. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Tensione di saturazione VCE(sat): 5V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 800V. Vebo: 6V. Spec info: velocità elevata (tf=100ns tipico). Alloggiamento: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A)

RoHS: NINCS. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: D35/B. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 30V/20V. Corrente collettore Ic [A], max.: 20mA. Dissipazione massima Ptot [W]: 0.1W

Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 30 MHz. Corrente del collettore: 15A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 180W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: TO-264 ( TOP-3L ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-264 ( 2-21F1A ). Tipo di transistor: NPN. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 230V. Spec info: transistor complementare (coppia) 2SA1987. Diodo CE: sì

Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 200 MHz. Funzione: uso generale. Corrente del collettore: 150mA. Ic(impulso): 400mA. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.2W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92S. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 60V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 50V. Vebo: 6V. Spec info: transistor complementare (coppia) 2SA608. Diodo CE: sì

Condizionamento: tubo di plastica. Unità di condizionamento: 30. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 1.7 MHz. Funzione: High Switching, Horizontal Deflection out. Guadagno hFE massimo: 35. Guadagno hFE minimo: 4.3. Corrente del collettore: 8A. Ic(impulso): 16A. Marcatura sulla cassa: C5386. Numero di terminali: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 50W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: Tipo MESA triplo diffuso . Tf(massimo): 0.3us. Tf(min): 0.15us. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-3PF. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Tensione di saturazione VCE(sat): 3V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 600V. Vebo: 5V. Spec info: MONITOR Hi-res. Alloggiamento: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A)

Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: VCE(sat) 3V max. Corrente del collettore: 10A. Nota: Tipo MESA triplo diffuso . Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 600V. Spec info: MONITOR, Hi-res (F)

Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 64kHz. Funzione: Monitor HA,hi-res, fH--64KHz. Corrente del collettore: 14A. Ic(impulso): 28A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 60W. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-3PF. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 600V. Spec info: VCE(sat) max. Alloggiamento: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

Costo): 190pF. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 2 MHz. Funzione: HA, Hi-res. Corrente del collettore: 14A. Ic(impulso): 28A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 60W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tf (tipo): 0.15us. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-3FP. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 3V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 600V. Vebo: 5V. Spec info: fH--64KHz. Alloggiamento: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 64kHz. Funzione: CTV/Monitor Horizntal Deflection Output. Guadagno hFE massimo: 25. Guadagno hFE minimo: 5. Corrente del collettore: 8A. Ic(impulso): 16A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 50W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-3PFM. Tipo di transistor: NPN. Tensione di saturazione VCE(sat): 5V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 1500V. Spec info: Silicon NPN Triple Diffused. Alloggiamento: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A)

Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: kHz. Funzione: Uscita di deflessione orizzontale. Guadagno hFE massimo: 30. Guadagno hFE minimo: 10. Corrente del collettore: 12A. Ic(impulso): 24A. Marcatura sulla cassa: C5449. Numero di terminali: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 50W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: Transistor planare triplo diffuso . Tf(massimo): 0.2us. Tf(min): 0.15us. Alloggiamento: TO-3PFM ( 13-16A1A ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-3PFM. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Tensione di saturazione VCE(sat): 5V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 700V. Vebo: 6V

Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 7GHz. Funzione: VHF/UHF. Guadagno hFE massimo: 200. Guadagno hFE minimo: 90. Corrente del collettore: 70mA. Marcatura sulla cassa: LN. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.1W. Custodia (secondo scheda tecnica): SSFP 1.4x0.8x0.6mm. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 20V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 10V. Spec info: serigrafia/codice SMD LN

Transistor Darlington?: NINCS. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 3 MHz. Guadagno hFE massimo: 12:1. Guadagno hFE minimo: 6. Corrente del collettore: 17A. Ic(impulso): 30A. Marcatura sulla cassa: C5583. Numero di terminali: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 150W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tf(massimo): 0.2us. Tf(min): 0.2us. Alloggiamento: TO-264 ( TOP-3L ). Custodia (secondo scheda tecnica): TOP-3L. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Tensione di saturazione VCE(sat): 3V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 1500V. Funzione: Samsung Monitor 19 inch. Spec info: Tipo mesa a tripla diffusione

Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: hi-res, monitor 19. Corrente del collettore: 15A. Nota: hFE 22...45 (Vce sat 3V, Vbe sat 1.5V). Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 1700V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 800V. Spec info: Triple diffusion mesa tipe

Transistor Darlington?: NINCS. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: kHz. Funzione: Alta velocità. Guadagno hFE massimo: 11. Guadagno hFE minimo: 3. Corrente del collettore: 12A. Ic(impulso): 36A. Marcatura sulla cassa: C5696. Numero di terminali: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 85W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: "Transistor al silicio planare triplo diffuso". Tf(massimo): 0.3us. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-3PMLH. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 1600V. Tensione di saturazione VCE(sat): 3V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 800V. Vebo: 5V. Alloggiamento: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Resistenza BE: sì. Diodo CE: sì

Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: kHz. Guadagno hFE massimo: 7. Guadagno hFE minimo: 5. Corrente del collettore: 8A. Ic(impulso): 16A. Marcatura sulla cassa: C5698. Numero di terminali: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 65W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tf(massimo): 0.2us. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-3PMLH. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Tensione di saturazione VCE(sat): 3V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 800V. Vebo: 5V. Funzione: alta velocità, CTV-HA. Alloggiamento: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A)

RoHS: sì. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-251. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 50V. Corrente collettore Ic [A], max.: 7.5A. Frequenza di taglio ft [MHz]: 400 MHz. Dissipazione massima Ptot [W]: 15W

Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 400 MHz. Funzione: convertitore DC-DC, alimentatore TFT. Guadagno hFE massimo: 560. Guadagno hFE minimo: 200. Corrente del collettore: 5A. Ic(impulso): 7.5A. Numero di terminali: 2. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 15W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Tf(massimo): 35 ns. Tf(min): 35 ns. Alloggiamento: D-PAK ( TO-252 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ). Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 80V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.135V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 80V. Vebo: 6V. Spec info: transistor complementare (coppia) 2SA2039

Condizionamento: tubo di plastica. Unità di condizionamento: 100dB. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 330 MHz. Funzione: convertitore DC-DC, alimentatore TFT. Guadagno hFE massimo: 560. Guadagno hFE minimo: 200. Corrente del collettore: 8A. Ic(impulso): 11A. Marcatura sulla cassa: C5707. Numero di terminali: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 15W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tf(massimo): 25 ns. Tf(min): 25 ns. Alloggiamento: TO-251 ( I-Pak ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-251AA ( I-PAK ). Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 80V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.11V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 80V. Spec info: transistor complementare (coppia) 2SA2040. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS