Componenti e apparecchiature elettroniche, per aziende e privati
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2SC5386

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2SC5386. Condizionamento: tubo di plastica. Unità di condizionamento: 30. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 1.7 MHz. Funzione: High Switching, Horizontal Deflection out. Guadagno hFE massimo: 35. Guadagno hFE minimo: 4.3. Corrente del collettore: 8A. Ic(impulso): 16A. Marcatura sulla cassa: C5386. Numero di terminali: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 50W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: Tipo MESA triplo diffuso . Tf(massimo): 0.3us. Tf(min): 0.15us. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-3PF. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Tensione di saturazione VCE(sat): 3V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 600V. Vebo: 5V. Spec info: MONITOR Hi-res. Alloggiamento: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Quantità in stock aggiornata il 14/01/2025, 10:25.

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2SC5387

2SC5387

Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: VCE(sat) 3V max. Corrente del...
2SC5387
Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: VCE(sat) 3V max. Corrente del collettore: 10A. Nota: Tipo MESA triplo diffuso . Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 600V. Spec info: MONITOR, Hi-res (F)
2SC5387
Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: VCE(sat) 3V max. Corrente del collettore: 10A. Nota: Tipo MESA triplo diffuso . Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 600V. Spec info: MONITOR, Hi-res (F)
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KSC5386TU

KSC5386TU

Resistenza BE: 10. Condizionamento: tubo di plastica. Unità di condizionamento: 30. Quantità per s...
KSC5386TU
Resistenza BE: 10. Condizionamento: tubo di plastica. Unità di condizionamento: 30. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: kHz. Funzione: High Switching 0.1us. Guadagno hFE massimo: 22. Guadagno hFE minimo: 8:1. Corrente del collettore: 7A. Ic(impulso): 16A. Marcatura sulla cassa: C5386. Numero di terminali: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 50W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: "Transistor al silicio planare triplo diffuso". Tf(massimo): 0.2us. Tf(min): 0.1us. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-3PF. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Tensione di saturazione VCE(sat): 4.2V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 800V. Vebo: 6V. Spec info: VEBO 6V. Alloggiamento: TO-3PF (SOT399). Diodo BE: NINCS. Diodo CE: sì
KSC5386TU
Resistenza BE: 10. Condizionamento: tubo di plastica. Unità di condizionamento: 30. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: kHz. Funzione: High Switching 0.1us. Guadagno hFE massimo: 22. Guadagno hFE minimo: 8:1. Corrente del collettore: 7A. Ic(impulso): 16A. Marcatura sulla cassa: C5386. Numero di terminali: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 50W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: "Transistor al silicio planare triplo diffuso". Tf(massimo): 0.2us. Tf(min): 0.1us. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-3PF. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Tensione di saturazione VCE(sat): 4.2V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 800V. Vebo: 6V. Spec info: VEBO 6V. Alloggiamento: TO-3PF (SOT399). Diodo BE: NINCS. Diodo CE: sì
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