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Transistor NPN, 8A, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), TO-3PF, 600V - 2SC5386

Transistor NPN, 8A, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), TO-3PF, 600V - 2SC5386
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Transistor NPN, 8A, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), TO-3PF, 600V - 2SC5386. Transistor NPN, 8A, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), TO-3PF, 600V. Corrente del collettore: 8A. Alloggiamento: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-3PF. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 600V. Condizionamento: tubo di plastica. Unità di condizionamento: 30. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 1.7 MHz. Funzione: High Switching, Horizontal Deflection out. Guadagno hFE massimo: 35. Guadagno hFE minimo: 4.3. Ic(impulso): 16A. Marcatura sulla cassa: C5386. Numero di terminali: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 50W. RoHS: sì. Spec info: MONITOR Hi-res. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: Tipo MESA triplo diffuso . Tf(massimo): 0.3us. Tf(min): 0.15us. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Tensione di saturazione VCE(sat): 3V. Vebo: 5V. Prodotto originale del produttore Toshiba. Quantità in stock aggiornata il 08/06/2025, 03:25.

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2SC5387

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Transistor NPN, 10A, 600V. Corrente del collettore: 10A. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 600V....
2SC5387
Transistor NPN, 10A, 600V. Corrente del collettore: 10A. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 600V. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: VCE(sat) 3V max. Nota: Tipo MESA triplo diffuso . Spec info: MONITOR, Hi-res (F). Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 1500V
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Transistor NPN, 10A, 600V. Corrente del collettore: 10A. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 600V. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: VCE(sat) 3V max. Nota: Tipo MESA triplo diffuso . Spec info: MONITOR, Hi-res (F). Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 1500V
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KSC5386TU
Transistor NPN, 7A, TO-3PF (SOT399), TO-3PF, 800V. Corrente del collettore: 7A. Alloggiamento: TO-3PF (SOT399). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-3PF. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 800V. Diodo BE: NINCS. Resistenza BE: 10. Diodo CE: sì. Condizionamento: tubo di plastica. Unità di condizionamento: 30. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: kHz. Funzione: High Switching 0.1us. Guadagno hFE massimo: 22. Guadagno hFE minimo: 8:1. Ic(impulso): 16A. Marcatura sulla cassa: C5386. Numero di terminali: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 50W. RoHS: sì. Spec info: VEBO 6V. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: "Transistor al silicio planare triplo diffuso". Tf(massimo): 0.2us. Tf(min): 0.1us. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Tensione di saturazione VCE(sat): 4.2V. Vebo: 6V
KSC5386TU
Transistor NPN, 7A, TO-3PF (SOT399), TO-3PF, 800V. Corrente del collettore: 7A. Alloggiamento: TO-3PF (SOT399). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-3PF. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 800V. Diodo BE: NINCS. Resistenza BE: 10. Diodo CE: sì. Condizionamento: tubo di plastica. Unità di condizionamento: 30. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: kHz. Funzione: High Switching 0.1us. Guadagno hFE massimo: 22. Guadagno hFE minimo: 8:1. Ic(impulso): 16A. Marcatura sulla cassa: C5386. Numero di terminali: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 50W. RoHS: sì. Spec info: VEBO 6V. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: "Transistor al silicio planare triplo diffuso". Tf(massimo): 0.2us. Tf(min): 0.1us. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Tensione di saturazione VCE(sat): 4.2V. Vebo: 6V
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