Componenti e apparecchiature elettroniche, per aziende e privati
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2SC5706FA

2SC5706FA
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5 - 9 1.91€ 2.33€
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25 - 49 1.71€ 2.09€
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2SC5706FA. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 400 MHz. Funzione: convertitore DC-DC, alimentatore TFT. Guadagno hFE massimo: 560. Guadagno hFE minimo: 200. Corrente del collettore: 5A. Ic(impulso): 7.5A. Numero di terminali: 2. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 15W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Tf(massimo): 35 ns. Tf(min): 35 ns. Alloggiamento: D-PAK ( TO-252 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ). Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 80V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.135V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 80V. Vebo: 6V. Spec info: transistor complementare (coppia) 2SA2039. Quantità in stock aggiornata il 14/01/2025, 11:25.

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2SC5707FA

2SC5707FA

Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 330 MHz. Funzione: convertitore DC-...
2SC5707FA
Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 330 MHz. Funzione: convertitore DC-DC, alimentatore TFT. Guadagno hFE massimo: 560. Guadagno hFE minimo: 200. Corrente del collettore: 8A. Ic(impulso): 11A. Marcatura sulla cassa: C5707T. Numero di terminali: 2. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 15W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Tecnologia: Transistor epitassiale planare al silicio . Tf(massimo): 25 ns. Tf(min): 25 ns. Alloggiamento: D-PAK ( TO-252 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ). Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 80V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.11V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 80V. Vebo: 6V. Spec info: transistor complementare (coppia) 2SA2040FA
2SC5707FA
Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 330 MHz. Funzione: convertitore DC-DC, alimentatore TFT. Guadagno hFE massimo: 560. Guadagno hFE minimo: 200. Corrente del collettore: 8A. Ic(impulso): 11A. Marcatura sulla cassa: C5707T. Numero di terminali: 2. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 15W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Tecnologia: Transistor epitassiale planare al silicio . Tf(massimo): 25 ns. Tf(min): 25 ns. Alloggiamento: D-PAK ( TO-252 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ). Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 80V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.11V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 80V. Vebo: 6V. Spec info: transistor complementare (coppia) 2SA2040FA
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