Transistor

RoHS: NINCS. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-92. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 55V/50V. Corrente collettore Ic [A], max.: 100mA. Dissipazione massima Ptot [W]: 0.2W

RoHS: NINCS. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-92. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 40V/35V. Corrente collettore Ic [A], max.: 100mA. Dissipazione massima Ptot [W]: 0.2W

Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 7 MHz. Corrente del collettore: 8A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 80W. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 500V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 400V

RoHS: NINCS. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-92. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 50V/40V. Corrente collettore Ic [A], max.: 30mA. Dissipazione massima Ptot [W]: 0.25W

RoHS: NINCS. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-92. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 30V/25V. Corrente collettore Ic [A], max.: 100mA. Dissipazione massima Ptot [W]: 0.25W

RoHS: NINCS. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-92. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 50V/40V. Corrente collettore Ic [A], max.: 30mA. Dissipazione massima Ptot [W]: 0.4W

Costo): 3.5pF. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 180 MHz. Guadagno hFE massimo: 560. Guadagno hFE minimo: 120. Corrente del collettore: 0.15A. Marcatura sulla cassa: C1710. Numero di terminali: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.3W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92S ( SPT SC-72 ). Tipo di transistor: NPN. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Vcbo: 60V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.4V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 50V. Vebo: 7V. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

RoHS: NINCS. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-220C. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 300V. Corrente collettore Ic [A], max.: 200mA. Dissipazione massima Ptot [W]: 15W

RoHS: NINCS. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-92. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 25V/20V. Corrente collettore Ic [A], max.: 15mA. Dissipazione massima Ptot [W]: 0.15W

RoHS: NINCS. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-18. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 70V/50V. Corrente collettore Ic [A], max.: 500mA. Dissipazione massima Ptot [W]: 0.35W

Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 150 MHz. Corrente del collettore: 0.5A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.6W. Tipo di transistor: NPN. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 25V

Condizionamento: rotolo. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 80 MHz. Guadagno hFE massimo: 240. Guadagno hFE minimo: 120. Corrente del collettore: 0.15A. Marcatura sulla cassa: C1815Y. Numero di terminali: 3. Temperatura: +120°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.4W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: Tipo epitassiale . Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 60V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.1V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 50V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complementare (coppia) 2SA1015Y. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

Costo): 1.6pF. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 100 MHz. Funzione: uso generale. Guadagno hFE massimo: 1200. Guadagno hFE minimo: 200. Corrente del collettore: 0.05A. Marcatura sulla cassa: C1841. Numero di terminali: 3. Temperatura: +125°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.5W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92. Tipo di transistor: NPN. Temperatura di funzionamento: -...+125°C. Vcbo: 120V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.07V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 0.3V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 120V. Vebo: 5V. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

RoHS: NINCS. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-92. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 60V/50V. Corrente collettore Ic [A], max.: 100mA. Dissipazione massima Ptot [W]: 0.25W

RoHS: NINCS. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-92. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 60V. Corrente collettore Ic [A], max.: 100mA. Dissipazione massima Ptot [W]: 0.5W

Costo): 1.6pF. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 110 MHz. Funzione: Amplificatore audio HI-FI. Guadagno hFE massimo: 580. Guadagno hFE minimo: 150. Corrente del collettore: 50mA. Marcatura sulla cassa: C1845. Equivalenti: KSC1845. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.5W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92. Tipo di transistor: NPN. Temperatura di funzionamento: -55...+125°C. Vcbo: 120V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.07V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 120V. Vebo: 5V. Spec info: Samsung--0501-000354. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

Costo): 20pF. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 200 MHz. Guadagno hFE massimo: 340. Guadagno hFE minimo: 85. Corrente del collettore: 1A. Ic(impulso): 1.5A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 5W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: Tipo planare epitassiale . Custodia (secondo scheda tecnica): TO-126B-A1. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 45V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 0.5V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 35V. Alloggiamento: TO-126 (TO-225, SOT-32). Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

RoHS: NINCS. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-92. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 20V. Corrente collettore Ic [A], max.: 20mA. Dissipazione massima Ptot [W]: 0.25W

RoHS: NINCS. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-3. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: 2SC1875. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 500V. Corrente collettore Ic [A], max.: 3.5A. Dissipazione massima Ptot [W]: 50W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -65°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C. Famiglia di componenti: transistor di potenza NPN

RoHS: NINCS. Famiglia di componenti: Transistor di potenza NPN Darlington. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-220AB. Custodia (standard JEDEC): TO-220AB. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: C1881. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 60V. Corrente collettore Ic [A], max.: 3A. Dissipazione massima Ptot [W]: 30W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C

RoHS: NINCS. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-92. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 50V. Corrente collettore Ic [A], max.: 30mA. Dissipazione massima Ptot [W]: 0.2W

Costo): 3pF. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 130 MHz. Funzione: Uscita video. Guadagno hFE massimo: 300. Guadagno hFE minimo: 30. Corrente del collettore: 0.05A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.6W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: Tripla Diffusa . Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92M ( 9mm ). Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 250V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 1V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 200V. Vebo: 5V. Quantità per scatola: 1. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

Materiale semiconduttore: silicio. FT: 45 MHz. Corrente del collettore: 0.5A. Tipo di transistor: NPN. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 200V. Quantità per scatola: 1. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

Materiale semiconduttore: silicio. FT: 470 MHz. Funzione: UHF-L. Corrente del collettore: 2A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 8W. Tipo di transistor: NPN. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 35V. Quantità per scatola: 1

Materiale semiconduttore: silicio. FT: 175 MHz. Funzione: VHF-Tr/E. Corrente del collettore: 0.6A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 1.3W. Alloggiamento: TO-220. Tipo di transistor: NPN. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 40V. Quantità per scatola: 1